盛美半導體發佈首台應用於化合物半導體製造中晶圓級封裝和電鍍應用的電鍍設備
前言：
自動化系統可適用于平邊以及V型槽晶圓，2021年第三季度已獲得重複訂單
2021年8月31日--作為半導體製造與先進晶圓級封裝領域中領先的設備供應商，盛美半導體設備今日發佈了新產品——Ultra ECP GIII電鍍設備，以支援化合物半導體(SiC, GaN)和砷化鎵(GaAs) 晶圓級封裝。該系列設備還能將金（Au）鍍到背面深孔制程中，具有更好的均勻性和臺階覆蓋率。Ultra ECP GIII還配備了全自動平臺，支援6英寸平邊和V型槽晶圓的批量制程，同時結合了盛美半導體的第二陽極和高速柵板技術，可實現最佳性能。
盛美半導體設備董事長王暉表示:“隨著電動汽車、5G通信、RF和AI應用的強勁需求，化合物半導體市場正在蓬勃發展。一直以來，化合物半導體製造制程的自動化水準有限，並且受到產量的限制。此外，大多數電鍍制程均採用均勻性較差的垂直式電鍍設備進行。盛美新研發的Ultra ECP GIII水準式電鍍設備克服了這兩個困難，以滿足化合物半導體不斷提升的產量和先進性能需求。”
盛美的Ultra ECP GIII設備通過兩項技術來實現性能優勢：盛美半導體的第二陽極和高速柵板技術。第二陽極技術可通過有效調整晶圓級電鍍性能，克服電場分佈不均造成的問題，以實現卓越的均勻性控制。它可以應用於優化晶圓邊緣區域圖形和V型槽區域，並實現3%以內的電鍍均勻性。
盛美的高速柵板技術可達到更強的攪拌效果，以強化質傳，從而顯著改善深孔制程中的臺階覆蓋率，同時提升的步驟覆蓋率可降低金薄膜厚度，從而為客戶節約成本。
盛美半導體的Ultra ECP GIII已取得來自中國化合物半導體製造商的兩張訂單。第一台訂單設備採用第二陽極技術的銅-鎳-錫-鍍銀模組，且集成真空預濕腔體和後道清洗腔體，應用於晶圓級封裝，已於上月交付。第二台訂單設備適用於鍍金系統，將於今年下一季度交付用戶端。
盛美半導體設備
盛美半導體設備公司從事對先進積體電路製造與先進晶圓級封裝製造行業至關重要的單片晶圓及槽式濕法清洗設備、電鍍設備、無應力拋光設備和熱處理設備的研發、生產和銷售，並致力於向半導體製造商提供定制化、高性能、低消耗的制程解決方案，來提升他們多個步驟的生產效率和產品良率。
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