2020年5月12日--作為集成電路制造與先進晶圓級封裝(WLP)領域中領先的設備供應商，盛美半導體設備（NASDAQ:ACMR），近日發布了三款用於晶圓正、背面清洗制程的濕法清洗設備系列。這一系列設備包括晶圓背面清洗設備Ultra C b，自動槽式濕法清洗設備Ultra C wb，和刷洗設備Ultra C s，它們將盛美創新的濕法制程技術擴展到了更廣泛的應用領域。
“我們中國的客戶要求盛美除了提供應用於關鍵制程步驟中前沿的主打產品之外，也為他們提供其他的非前沿設備，我們稱之為 “半關鍵設備”。這套設備可以提供高質量的制程，以支持客戶生產鏈中要求較低但仍然相當重要的步驟。”盛美半導體設備董事長王暉表示。“我們開發的Ultra C系列產品滿足了這一要求，擴展了產品鏈實現一站式服務，同時也為客戶提供了更有競爭力的產品。”
這三款Ultra C系列新產品的目標市場是先進集成電路領域，功率器件領域和晶圓級封裝（WLP）領域。晶圓背面清洗Ultra C b和槽式濕法清洗Ultra C wb設備現已在中國先進半導體廠的量產中證明了它們的優勢。首臺刷洗設備Ultra C s也已在2020年第一季度交付中國客戶，在驗收合格後即可確認收入。
晶圓背面清洗設備
Ultra C b是一款高性價比的晶圓背面清洗設備，具有良好的顆粒管控能力和刻蝕均勻性控制能力，該設備三大關鍵應用分別為晶圓背面清洗制程，如金屬去除或RCA清洗；晶圓背面濕法矽刻蝕制程，如晶圓背面濕法減薄或濕法矽通孔露出（TSV reveal）；以及晶圓回收制程中的多晶矽層、氧化層和氮化層等膜層剝離去除。該設備可處理高翹曲度晶圓，適用於處理200毫米或300毫米超薄晶圓和鍵合晶圓。
Ultra C b是一款高性價比的晶圓背面清洗設備，具有良好的顆粒管控能力和刻蝕均勻性控制能力，該設備三大關鍵應用分別為晶圓背面清洗制程，如金屬去除或RCA清洗；晶圓背面濕法矽刻蝕制程，如晶圓背面濕法減薄或濕法矽通孔露出（TSV reveal）；以及晶圓回收制程中的多晶矽層、氧化層和氮化層等膜層剝離去除。該設備可處理高翹曲度晶圓，適用於處理200毫米或300毫米超薄晶圓和鍵合晶圓。
進行晶圓背面清洗時，使用傳統的夾具有可能對晶圓正面會帶來損傷，該設備的晶圓夾具與傳統的夾持方式不同，它利用了伯努利效應，使晶圓懸浮於晶圓夾具上，而晶圓正面與夾具間無物理接觸。當清洗化學藥液噴淋到晶圓背面進行制程的時候，晶圓帶器件的壹面就會由夾具噴出的氮氣(N2)對其進行保護。
該伯努利晶圓夾具采用了盛美的專利技術，可通過控制晶圓和晶圓夾具之間空隙的間距，來控制刻蝕後晶圓邊緣的側向刻蝕寬度，同時滿足刻蝕後晶圓邊緣無夾具痕跡的要求。該設備可根據需要配置實現高產能，以匹配短制程時間的應用，產能可達300片以上。也可選配先進的無接觸型機械手臂以實現超薄晶圓的傳輸。
自動槽式清洗設備
自動槽式清洗設備Ultra C wb，依托盛美研發的槽式與單片清洗集成設備Ultra C Tahoe的先進槽式技術基礎而開發，可以進行多達50片晶圓的批量清洗。自動槽式清洗設備的關鍵應用為爐管前清洗，RCA清洗，光阻去除，氧化層刻蝕，氮化矽去除，以及晶圓回收制程中前段FEOL多晶矽/氧化矽層剝離去除，和後段BEOL金屬層剝離去除。該設備可針對不同的應用配置不同的化學藥液槽，如硫酸，磷酸，氫氟酸(HF)，緩沖氧化物刻蝕液(BOE)， SC1和SC2等化學藥液槽。晶圓依次在化學藥液槽中浸泡，經去離子水(DI)沖洗，最後在ATOMO幹燥模塊中以汽化的異丙醇(IPA)進行幹燥，幹燥後無水痕。該設備的模塊化設計和較小的占地面積，使其可靈活配置。槽式清洗設備Ultra C wb可高效地回收使用化學藥水，節能減排。該設備可運用於200毫米或者300毫米的晶圓清洗應用。
刷洗設備
新型刷洗設備Ultra C s以盛美在晶圓級封裝領域（WLP）已驗證成功的刷洗技術為基礎，延伸應用於集成電路制造領域。其配備的軟刷可以采用精準的壓力控制以清洗晶圓邊緣及背面的顆粒。該設備配有先進的二流體（氣體和液體）噴淋清洗技術，還可選配盛美獨有的空間交變相位移（SAPS™）兆聲波技術以滿足客戶更高的需求——更強勁的小顆粒去除能力。模塊化系統可配置8個腔體，用於集成電路制造領域300毫米的晶圓清洗，其中四個腔體用於正面清洗制程，四個腔體用於背面清洗制程。該刷洗設備性價比高，靈活性強、占地面積小、產能高。
新型刷洗設備Ultra C s以盛美在晶圓級封裝領域（WLP）已驗證成功的刷洗技術為基礎，延伸應用於集成電路制造領域。其配備的軟刷可以采用精準的壓力控制以清洗晶圓邊緣及背面的顆粒。該設備配有先進的二流體（氣體和液體）噴淋清洗技術，還可選配盛美獨有的空間交變相位移（SAPS™）兆聲波技術以滿足客戶更高的需求——更強勁的小顆粒去除能力。模塊化系統可配置8個腔體，用於集成電路制造領域300毫米的晶圓清洗，其中四個腔體用於正面清洗制程，四個腔體用於背面清洗制程。該刷洗設備性價比高，靈活性強、占地面積小、產能高。
Ultra C系列的半關鍵濕法制程設備現已面向市場，可單獨或組合出售。請聯系盛美公司相應區域的負責人了解更多信息。
關於盛美半導體設備公司
盛美半導體設備公司從事對先進集成電路制造與先進晶圓級封裝制造行業至關重要的單片晶圓或槽式濕法清洗設備、電鍍設備、無應力拋光設備和熱處理設備的研發、生產和銷售。並致力於向半導體制造商提供定制化、高性能、低消耗的制程解決方案，來提升他們多個步驟的生產效率和產品良率。
盛美半導體設備公司從事對先進集成電路制造與先進晶圓級封裝制造行業至關重要的單片晶圓或槽式濕法清洗設備、電鍍設備、無應力拋光設備和熱處理設備的研發、生產和銷售。並致力於向半導體制造商提供定制化、高性能、低消耗的制程解決方案，來提升他們多個步驟的生產效率和產品良率。
