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ANSYS解決方案獲聯電先進14奈米製程技術認證

本文作者:ANSYS       點擊: 2018-06-29 10:50
前言:
2018年6月29日--ANSYS 宣布其ANSYS® RedHawkTM和ANSYS® Totem TM 已獲聯華電子(聯電,UMC)的先進14奈米FinFET製程技術認證。ANSYS和聯電透過認證和完整套裝半導體設計解決方案,支援共同客戶滿足下一代行動和高效能運算(HPC)應用不斷成長的需求。

此次ANSYS取得聯電的認證包括萃取、電源完整性和可靠度、訊號電子遷移(signal EM)以及自發熱(self-heat)分析。聯電的14奈米FinFET技術與 28奈米技術相較快55%,耗電減少50%,適合需要更多功能、超高效能與超低功耗的應用。

聯電智慧財產開發與設計支援部門總監T.H. Lin表示:「聯電不斷改進設計以支援產品,幫助客戶縮短設計時間並加速產品上市時程。我們與ANSYS合作無間,雙方共同客戶能夠運用ANSYS的多物理場模擬,將設計最佳化,改善效能並減少過度設計(overdesign)。」

ANSYS總經理John Lee表示:「深次微16奈米以下的多層次實體效應的相互依存性持續增加,如電源、可靠度和發熱議題,對設計收斂帶來重大挑戰。ANSYS的半導體解決方案架構針對多層次實體最佳化設計,而聯電認證ANSYS解決方案經過嚴格測試和準確規範的確認,有助於雙方共同客戶加速設計收斂。」

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