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在元件通過數百萬個元件-小時嚴謹的應力測試後,宜普電源發佈可靠性測試報告以記錄氮化鎵(GaN)技術的可靠性

本文作者:宜普電源       點擊: 2016-08-02 10:23
前言:
2016年8月1日--宜普電源轉換公司(EPC)發佈第八階段產品可靠性測試報告。該報告表明,在累計超過800萬個元件-小時的應力測試後,沒有元件發生失效的情況。該報告詳細探討EPC元件在被確認為合格產品前所經受的各項應力測試,並且分析元件失效的物理原因。
 

 
宜普電源轉換公司的第八階段可靠性測試報告證明氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)及積體電路在被確認為合格產品前,經受各種非常嚴謹並符合JEDEC認證標準的應力測試。
 
本報告提供特定產品在經受數百萬個元件-小時的應力測試後所得出的詳細結果。除了利用應力測試來認證產品的可靠性外,我們對產品的其他方面也進行了盡職調查,包括元件的現場可靠性、在元件的工作壽命內的失效情況及整塊電路板的可靠性。第八階段產品可靠性測試報告尤其集中探討以下三個部份的測試 :
I:元件的現場可靠性
• 探討元件的現場失效情況
• 元件在組裝時發生失效的情況
• 元件在應用中發生失效的情況
• 晶片本質的認證

II:元件的早期壽命失效情況與元件的應力疲勞特性
• 元件的早期壽命失效率(ELFR)
• 電子遷移效應(Electromigration)
 
III:整塊電路板的可靠性及熱機械性能
• 間歇工作壽命(IOL)測試
• 溫度迴圈(TC)測試
• 整塊電路板的可靠性測試
 
 
在客戶的應用中,要取得EPC元件可靠性的認證,客戶可以參考我們的第七階段產品可靠性測試報告(該報告表明,eGaN FET及積體電路具備卓越的現場可靠性—這些元件在經受超過170億器件-小時測試後,得出非常低的失效率(低於1 FIT,代表元件經受10億小時的測試後的失效元件),以及參考第八階段產品可靠性測試報告。這些累計的元件可靠性資料展示出eGaN FET及積體電路是非常可靠的元件,以及在目前的終端產品的合理壽命內,eGaN FET及積體電路的失效概率是非常低的。
 
宜普公司首席執行長及共同創始人Alex Lidow博士說:「要展示全新技術的可靠性是一個重大的挑戰。我們非常重視所有產品的可靠性。第八階段可靠性測試報告所闡述的各項測試及報告的結果表明,由於宜普電源轉換公司的氮化鎵產品具備必備的高可靠性,因此成為替代矽基元件的首選半導體元件。」
 
宜普電源轉換公司簡介
宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET元件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括直流-直流轉換器、無線電源傳送、波峰追蹤、射頻傳送、功率逆變器、光學遙感技術(LiDAR)及D類音頻放大器等應用,元件性能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍。此外,宜普公司正在擴大基於eGaN IC的產品系列,為客戶提供進一步節省佔板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站,網址為
www.epc-co.com.tw

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