2016年5月5日--致力於亞太區市場的領先半導體零組件通路商大聯大控股今日宣佈，旗下詮鼎集團將推出東芝（Toshiba）電源管理完整解決方案，將有助於節約能源和提高電源效率。
MOSFET
東芝提供電源應用多樣化的半導體元件，從低功率到高功率，以滿足廣泛的客戶需求變化，這些產品均有助於節約能源和提高能源效率。
東芝提供電源應用多樣化的半導體元件，從低功率到高功率，以滿足廣泛的客戶需求變化，這些產品均有助於節約能源和提高能源效率。
U-MOS VIII-H/U-MOS IX-H是專門設計在二次側的AC-DC電源，適用於筆記型電腦充電器、遊戲機、服務主機、桌上型電腦、平板電腦等，以及高效率的MOSFET系列通訊設備、伺服器，和數據中心的DC-DC電源供應器，最新的U-MOS IX-H將有助於提高電源的效率。
U-MOS VIII-H系列提供業界最廣泛的低導通電阻MOSFET，和導通電阻與電容之間最好的應用產品。由於其快速導通特性，U-MOS VIII-H系列有助於降低開關損耗，進而能夠提高電源效率。U-MOS VIII-H系列有30至250V的VDSS和各種封裝尺寸等多種選擇，當中也包括具備雙面冷卻功能的最先進封裝。
U-MOS Ⅸ-H系列專為同步整流應用所設計，包括隔離開關電源的二次側設計，提供增強的Qoss效能。與其他半導體廠商相比，U-MOS Ⅸ-H的Ron‧Qoss比其他同類型產品低了27％，同時具有導通電阻（Ron）和Qoss之間權衡的特點。由於Ron對QOSS具有顯著的影響，東芝將擴大具備超低Ron的U-MOS Ⅸ-H系列的陣容組合。
東芝已研發出最新的產品規格及包裝，以減少導通電阻的MOSFET。東芝提供封包用雙面冷卻能力，具有雙側的散熱片。這個封包提供了0.93°C/W的超低熱阻（RTHH-C），近而簡化了散熱設計，相同的尺寸空間，所以無須重新設計PCB。
最新中高電壓MOSFET：
東芝已開發出第4代超級結600-V DTMOSⅣ MOSFET系列產品。透過採用最先進的單層外延工藝，DTMOSⅣ減少了30%的Ron‧A, 這是MOSFET相較於其前一代產品DTMOSⅢ所具有的一個數位化的優點（FOM）。對於Ron‧A的降低，實現了在相同封裝中安裝較低Ron晶片的可能。這也有助於提升效率和減小電源的尺寸大小，其特色如下：。
東芝已開發出第4代超級結600-V DTMOSⅣ MOSFET系列產品。透過採用最先進的單層外延工藝，DTMOSⅣ減少了30%的Ron‧A, 這是MOSFET相較於其前一代產品DTMOSⅢ所具有的一個數位化的優點（FOM）。對於Ron‧A的降低，實現了在相同封裝中安裝較低Ron晶片的可能。這也有助於提升效率和減小電源的尺寸大小，其特色如下：。
Ron･A減小了30%，這是MOSFET相較於其前一代產品(DTMOSⅢ)的一個數位化優點
因為採用了獨立單層外延工藝，所以在高溫時導通電阻增加較少。
因為減小了Coss，所以相較於前一代產品（DTMOSⅢ），可以降低12%的開關損耗、Eoss
可用的導通電阻範圍廣泛，RDS(ON) : 0.9 Ω–0.018 Ω 最大值
多種封裝選擇
無線充電IC
產品特色：
提供符合WPC低功率（Ver1.2）及中功率（Ver1.2）的晶片
符合穿戴式產品專用的小線圈接收端及對應的輸出端，可輸出1-15W
採用CD-0.13微米製程，藉此高達高功率電源供應及IC表面低溫升，接收端採用獨創的「低電阻抗」CD-MOS製程
產品特色：
提供符合WPC低功率（Ver1.2）及中功率（Ver1.2）的晶片
符合穿戴式產品專用的小線圈接收端及對應的輸出端，可輸出1-15W
採用CD-0.13微米製程，藉此高達高功率電源供應及IC表面低溫升，接收端採用獨創的「低電阻抗」CD-MOS製程
SiC肖特基位障二極體
因採用了一個碳化矽（SiC）和寬能隙半導體。SiC肖特基位障二極體（SBD）能夠提供使用矽材料肖特基位障二極體時所無法實現的高擊穿電壓。作為一個單極性元件，SiC SBD具有非常短的逆向恢復時間和溫度獨立的開關特性，使它們非常適合替代Si矽材料快速恢復二極體（FRD）的應用，以提高電源效率，可應用在功率因素校正電路、太陽能變頻器，以及不間斷電源（UPS）。
產品特色：
在順向電流（IF）為4A/mm2，和高溫區域條件下，SiC SBD產品TRS6E65C的順向電壓約比Si FRD產品5JUZ47高出40%。在400V逆向電壓（VR）的條件下，TRS6E65C比5JUZ47的高溫漏電約低97%
SiC SBD比Si FRD提供更短的逆向復原時間
SiC SBD的逆向復原時間對於溫度不敏感
雖然SiC SBD的導通損耗高於Si FRD，但SiC SBD具有較低的切換損耗，所以總體損耗有所降低
因採用了一個碳化矽（SiC）和寬能隙半導體。SiC肖特基位障二極體（SBD）能夠提供使用矽材料肖特基位障二極體時所無法實現的高擊穿電壓。作為一個單極性元件，SiC SBD具有非常短的逆向恢復時間和溫度獨立的開關特性，使它們非常適合替代Si矽材料快速恢復二極體（FRD）的應用，以提高電源效率，可應用在功率因素校正電路、太陽能變頻器，以及不間斷電源（UPS）。
產品特色：
在順向電流（IF）為4A/mm2，和高溫區域條件下，SiC SBD產品TRS6E65C的順向電壓約比Si FRD產品5JUZ47高出40%。在400V逆向電壓（VR）的條件下，TRS6E65C比5JUZ47的高溫漏電約低97%
SiC SBD比Si FRD提供更短的逆向復原時間
SiC SBD的逆向復原時間對於溫度不敏感
雖然SiC SBD的導通損耗高於Si FRD，但SiC SBD具有較低的切換損耗，所以總體損耗有所降低
負載開關IC
負載開關電源IC包含一個輸出MOSFET和輸出驅動器，採用CMOS製程。負載開關IC版本提供了小面積的解決方案。此外，負載開關IC可提供低工作電壓，低導通電阻和低電流消耗以及其它功能。負載開關IC採用小構型封裝，期面積尺寸小於1平方毫米，可滿足小面積產品的需求。
負載開關電源IC包含一個輸出MOSFET和輸出驅動器，採用CMOS製程。負載開關IC版本提供了小面積的解決方案。此外，負載開關IC可提供低工作電壓，低導通電阻和低電流消耗以及其它功能。負載開關IC採用小構型封裝，期面積尺寸小於1平方毫米，可滿足小面積產品的需求。
光耦合器/光繼電器
東芝擁有40多年的光耦生產經驗，其應用領域廣泛，從逆變器和半導體測試系統等工業設備到空調和光伏發電系統等家用電器和房屋設備。東芝提供的光耦包括一個大功率紅外LED和一個採用最新工藝的光電探測器。這些光耦經主要的國際安全標準認證，能提供高的隔離電壓和低功耗，所以非常適合應用於對安全性和環保性具有高要求的應用場合。其特色有：
大功率紅外LED
0.13 μm製程
高抗擾性
高隔離效能
通過國際安全標準認證
東芝擁有40多年的光耦生產經驗，其應用領域廣泛，從逆變器和半導體測試系統等工業設備到空調和光伏發電系統等家用電器和房屋設備。東芝提供的光耦包括一個大功率紅外LED和一個採用最新工藝的光電探測器。這些光耦經主要的國際安全標準認證，能提供高的隔離電壓和低功耗，所以非常適合應用於對安全性和環保性具有高要求的應用場合。其特色有：
大功率紅外LED
0.13 μm製程
高抗擾性
高隔離效能
通過國際安全標準認證
更多的產品及方案資訊，請洽詮鼎集團東芝產品線人員toshiba.tw@aitgroup.com.tw，或參考大聯大官方網站，並歡迎關注大聯大官方微博（@大聯大）及大聯大微信平台：（公眾帳號中搜索「大聯大」或微信帳號wpg_holdings）。
關於大聯大控股：
大聯大控股是全球第一，亞太區最大的半導體零組件通路商，總部位於臺北（TSE:3702），旗下擁有世平、品佳、詮鼎及友尚，員工人數近5,500人，代理產品供應商超過250家，全球約115個分銷據點（亞太區約65個）， 2015年營業額達162.3億美金。（*市場排名依Gartner公布數據）
大聯大控股是全球第一，亞太區最大的半導體零組件通路商，總部位於臺北（TSE:3702），旗下擁有世平、品佳、詮鼎及友尚，員工人數近5,500人，代理產品供應商超過250家，全球約115個分銷據點（亞太區約65個）， 2015年營業額達162.3億美金。（*市場排名依Gartner公布數據）
大聯大控股開創產業控股平台，持續優化前端行銷與後勤支援團隊，扮演產業供應鏈專業夥伴，提供需求創造（Demand Creation）、交鑰匙解決方案（Turnkey Solution）、技術支持、倉儲物流與電子商務等加值型服務，滿足原始設備製造商（OEM）、原始設計製造商（ODM）、電子製造服務商（EMS）及中小型企業等不同客戶需求。國際化營運規模與在地化彈性，長期深耕亞太市場，連年獲得專業媒體評選為「亞洲最佳IC通路商」。
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