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安森美半導體推出首批具有近紅外線+(NIR+)的高解析度影像感測器,以提升夜視功能

時間:2018-04-13 09:31來源:安森美 作者:安森美 點擊:
增強的近紅外線性能提升高端安全及監控攝影機的影像品質
2018年4月10日--推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)推出首批採用近紅外線+(NIR+)技術的CMOS影像感測器,該技術有效地將高動態範圍(HDR)與增強的微光性能相結合,以實現高端的安全與監控攝影機。
 

 
AR0522是一款1/2.5英寸510萬像素(MP)的影像感測器,基於一個2.2微米(μm)背照式(BSI)像素技術平台,專為在微光條件下需要高解析度、高畫質影音擷取的工業應用而開發。AR0522影像感測器的近紅外線波長靈敏度大概是現有的AR0521影像感測器的兩倍。
 
AR0431是一款1/3.2英寸400萬像素的感測器,基於一個2.0 μm 背照式像素技術平台。它能夠提供通用的低功耗模式和高達120fps的幀率,非常適合需要進行慢動作影音擷取的應用。它的操作功耗低,因此成為以電池供電的安全監控攝影機、動態/運動攝影機、行車紀錄器(Digital Video Recorder;DVR)及一般監控攝影機的理想選擇。
 
安森美半導體開發NIR+技術,以提高近紅外線區域內感測器的量子效率(Quantum Efficiency;QE),而不需犧牲可見光譜中的色彩真實度(color fidelity)。透過此技術,安全攝影機可在更低的電壓下,於物料清單(Bill-Of-Material;BOM)上使用較少的紅外線(IR)LED,而仍能在微光和近紅外線條件下實現高畫質影像。
 
安森美半導體影像感測器消費解決方案分部副總裁暨總經理Gianluca Colli表示:「AR0522和AR0431所採用的NIR+技術和背照式像素平台實現了絕佳的影像畫質和微光性能,即使在極具挑戰的光照條件下也能獲得更明亮、更清晰的影像。」
 
供貨
安森美半導體目前提供AR0522工程樣品,採用12mm x 12mm mPLCC封裝,預計於2018年5月量產。
AR0431的工程樣品將於2018年4月推出,採用10mm x 10mm mPLCC封裝,預計於2018年7月量產。
 
關於安森美半導體
安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)致力於推動高效能電子的創新,使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體是基於半導體的解決方案之領導供應商,提供全面性的高效能電源管理、類比、感測器、邏輯、時序、連線、離散元件、系統單晶片(SoC)及客製化元件。安森美半導體的產品幫助工程師解決在汽車、通訊、運算、消費性電子、工業、醫療、航空及國防應用的獨特設計挑戰。安森美半導體擁有敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質專案,及一套嚴謹的審查標準和道德規範計畫,在北美、歐洲和亞太地區的關鍵市場的營運網路更包括製造廠、銷售辦公室和設計中心。欲瞭解更多資訊請參閱:
http://www.onsemi.com

•在 Twitter 上追蹤安森美半導體:
www.twitter.com/onsemi

 

(責任編輯:helen)
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