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大聯大品佳集團推出英飛凌1200 V碳化矽MOSFET技術

時間:2018-04-17 10:22來源:大聯大品佳集團 作者:大聯大品佳集團 點擊:
2018年4月17日--致力於亞太區市場的領先零組件通路商大聯大控股今日宣佈,旗下品佳集團將推出英飛凌(Infineon)1200 V碳化矽MOSFET技術。
此次推出的新技術可提升產品設計的功率密度和效能表現,並有助電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱需求,進一步提升可靠性和降低系統成本。
 
根據多年於碳化矽半導體的開發經驗,全新MOSFET採用先進的溝槽半導體製程,為英飛凌於CoolSiC系列產品上的最新突破。首款分離式1200 V CoolSiC MOSFET的導通電阻(RDS(ON))額定值為45 mΩ。此產品將採用3接腳和4接腳TO-247封裝,4接腳封裝上有個額外的源極連接端子,作為門極驅動的訊號接腳,以消除源極電感所導致的降壓影響,也有助於降低開關損耗,特別是在更高的開關頻率時。
 
此外,英飛凌還推出以碳化矽MOSFET技術為基礎的1200 V Easy1B半橋式與升壓器模組。其採用Press-FIT連接,具有良好的熱介面、低雜散電感和堅固的設計,每種封裝的模組均有11 mΩ和23 mΩ的RDS(ON)額定值。
 
產品特色
英飛凌的CoolSiC MOSFET採用溝槽技術,可靠性高且效能優良,同時也降低了動態損耗,相較於1200V矽(Si)IGBT有明顯降低。該MOSFET對於通常應用於驅動IGBT的+15 V/-5 V電壓完全相容,其結合了4V基準閾值額定電壓(Vth)、目標應用要求的短路穩健度和可完全管控的dv/dt電壓,與矽IGBT相較下,其優勢包括低溫度係數的開關損耗和無閾值電壓的靜態特性。
 
這些電晶體如同IGBT一樣易於控制,在發生故障時得以安全地關閉,此外,英飛凌碳化矽MOSFET技術可以透過柵極電阻調節改變開關速度,因此能提升電磁相容(EMC)的效能。
 
產品應用
目前主要在改善太陽能光伏逆變器、不斷電(UPS)或充電/儲能系統等應用系統的階段,此後可將其範圍擴大到工業變頻器。
 

 
更多的產品及方案資訊,請洽大聯大品佳集團Infineon產品線人員Infineon@sacsys.com.tw,或是參考大聯大官方網站,並歡迎關注大聯大官方微博(@大聯大)及大聯大微信平台:(公眾帳號中搜索「大聯大」或微信帳號wpg_holdings)。
 
關於大聯大控股:
大聯大控股是全球第一,亞太區最大的半導體零組件通路商,總部位於臺北(TSE:3702),旗下擁有世平、品佳、詮鼎及友尚,員工人數約5,100人,代理產品供應商超過250家,全球約71個IED & 34個 Non-IED分銷據點(亞太區IED 43個& Non-IED 34個),2017年營業額達175.1億美金(自結)。(*市場排名依Gartner公布數據)
 
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(責任編輯:helen)
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