中國新能源車驅動領域高科技公司-臻驅科技（上海）有限公司（以下簡稱 臻驅科技）與半導體製造商 ROHM（以下簡稱 羅姆）宣佈在中國（上海）自由貿易區試驗區臨港新區成立「碳化矽技術聯合實驗室」，並於 2020 年 6 月 9 日舉行了揭幕啟用儀式。
相較於 IGBT*1 等矽（Si）功率元件，碳化矽（SiC）功率元件具有較低傳導損耗與開關損耗*2、以及不易受溫度 影響等優勢，因此能大幅降低損耗，並廣泛運用在電動車充電器以及 DC/DC 轉換器等相關應用。
自 2017 年雙方合作以來，臻驅科技和羅姆就針對 SiC 功率元件在車電應用的研發上展開深度的技術交流。此次 聯合實驗室的成立，就是希望透過羅姆的 SiC MOSFET*3 裸晶片和絕緣閘驅動器等技術，更進一步推動車電功率模 組和逆變器的研發。今後，雙方也將持續推出以 SiC 為主的創新電源解決方案。
臻驅科技董事長兼總經理 沈捷博士（右）與羅姆半導體（上海）有限公司董事兼總經理 久保田進矢（左）在揭幕儀式上握手
臻驅科技董事長兼總經理 沈捷博士表示「碳化矽功率半導體模組在新能源汽車上的應用，是今後業界的趨 勢所在。藉由快速彙集全球資源、加速技術研發、並及早量產高度成熟的碳化矽產品，將能確保身為車電元件 廠商的核心競爭力。臻驅科技自成立以來便得到羅姆的大力支援，希望能藉此聯合實驗室的成立，加深雙方合 作關係，繼續攜手向前邁進。」
羅姆執行董事 功率元件事業本部長 伊野和英博士表示「羅姆身為碳化矽元件的領導廠商，在提供先端元 件技術和驅動 IC 等電源解決方案上一直保有傲人的成績，並針對 xEV 的相關應用持續推動 SiC 的普及。在 SiC 功率元件的技術研發方面，掌握客戶需求和市場動向是非常重要的關鍵。做為車電功率模組和逆變器開發商， 臻驅科技在 SiC 應用研究方面發揮了重要的作用。羅姆希望藉由聯合實驗室的成立，加強雙方的合作關係，透過 以 SiC 為主的電源解決方案更進一步推動汽車技術的革新。」
關於臻驅科技
臻驅科技成立於 2017 年，專攻新能源汽車動力解決方案，是一家供應搭載先端半導體元件的功率模組和馬達逆變器的高科技公司。憑藉卓越的研發設計能力，且持續整合供應鏈資源，積極開發出高性能、低成本的動力總成與功率模組解決方案。
臻驅科技成立於 2017 年，專攻新能源汽車動力解決方案，是一家供應搭載先端半導體元件的功率模組和馬達逆變器的高科技公司。憑藉卓越的研發設計能力，且持續整合供應鏈資源，積極開發出高性能、低成本的動力總成與功率模組解決方案。
另外，臻驅科技在碳化矽材料上也擁有深厚的技術成就，累積超過十年以上的碳化矽模組和系統開發經驗。團隊擁有100 多項國際專利，在新能源、電能轉換及功率電子三大領域中，擁有具國際水準的技術研發能力。欲進一步瞭解詳情，請至臻驅科技官網：http://www.leadrive.com/
關於羅姆
羅姆是成立於 1958 年的半導體和電子元件製造商。透過遍及全球的開發與銷售網路，為汽車電子、工控應用、消費 電子、通訊等市場提供高品質和高可靠性的 IC、離散式半導體和電子元件產品。在擅長的類比電源領域，羅姆的優 勢是可提供包括 SiC 功率元件、驅動 IC，以及電晶體、二極體、電阻等週邊元件在內的系統整體解決方案。
如欲進一步瞭解詳情，請至羅姆官網：https://www.rohm.com.tw/
＜名詞解釋＞
*1）IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣閘雙極電晶體）
是一種兼具 MOSFET 的高速開關特性和雙極電晶體的低傳導損耗特性的功率電晶體。
*1）IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣閘雙極電晶體）
是一種兼具 MOSFET 的高速開關特性和雙極電晶體的低傳導損耗特性的功率電晶體。
*2）傳導損耗、開關損耗
因元件結構的緣故，MOSFET 和 IGBT 等電晶體在使用時會產生損耗。傳導損耗是電流流經元件時（ON 狀態時），受 元件的電阻影響而產生的損耗。開關損耗是切換元件的通電狀態時（開關動作時）所產生的損耗。
因元件結構的緣故，MOSFET 和 IGBT 等電晶體在使用時會產生損耗。傳導損耗是電流流經元件時（ON 狀態時），受 元件的電阻影響而產生的損耗。開關損耗是切換元件的通電狀態時（開關動作時）所產生的損耗。
*3）MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor 的簡稱） 正式名稱為「金屬－氧化物－半導體場效電晶體」，是 FET 中最常用的結構。常用來當作切換元件。
