ROHM SiC 功率元件獲中國 Tier1 車電系統廠 UAES 採用於電動車充電器
前言：
有助EV充電系統高速化及小型化 大幅提昇供電效率
半導體製造商ROHM（總公司：日本國京都市）的SiC功率元件（SiC MOSFET*1）獲得中國車界Tier1供應商-聯合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd.，總部位於中國上海市，以下簡稱UAES公司）採用，將應用於電動車充電器（On Board Charger，以下簡稱OBC）上。UAES公司預計將於2020年10月起向汽車製造商供應該款OBC。
與IGBT*2等Si（矽）功率元件相比，SiC功率元件是一種能大幅降低損耗的半導體，因此在電動車以及基礎設施、環境/能源、工控裝置領域的應用日益廣泛。
ROHM於2010年率先開始量產SiC MOSFET，身為SiC功率元件的領導品牌，ROHM一直積極推動相關產品的研發。而在汽車領域，ROHM於2012年率先開始供應車電產品，並在電動車快速充電器領域擁有極高的市佔率，該產品也逐漸導入於電動車的馬達和逆變器中。
本次ROHM的SiC MOSFET被UAES公司的OBC產品所採用，與傳統的OBC相比，全新OBC單元的效率提高了1%（效率高達95.7%，功率損耗比傳統降低約20%）。該解決方案也獲得了UAES頒發的2019年度最佳技術進步獎。
未來，身為SiC功率元件領導品牌的ROHM，將不斷擴大產品線，並結合可充分發揮元件性能的控制IC等週邊元件和模組化技術優勢，繼續提供有助下一代汽車技術革新的電源解決方案。
＜關於聯合汽車電子有限公司（UAES）＞
UAES公司是中聯汽車電子有限公司和德國羅伯特·博世有限公司在中國的合資企業，是車界Tier1供應商。自1995年成立以來，該公司在中國汽車市場的引擎控制單元和燃油車動力總成等領域中，已獲得極高的市佔率，2009年之後開始研發電動車主機逆變器等產品。
http://www.uaes.com/servlet/portal/index.html
＜採用SiC MOSFET的好處＞
在大功率（高電壓 × 大電流）範圍中，與Si-IGBT相比，SiC MOSFET具有「切換損耗和傳導損耗*3小」、「耐溫度變化」等優點。基於這些優點，當SiC MOSFET運用於電動車充電器和DC/DC轉換器等產品中時，可降低功率轉換時的損耗並實現散熱零件的小型化，高頻工作還可實現線圈小型化，有助於提高應用效率、減少零件數量並縮減安裝面積。
在大功率（高電壓 × 大電流）範圍中，與Si-IGBT相比，SiC MOSFET具有「切換損耗和傳導損耗*3小」、「耐溫度變化」等優點。基於這些優點，當SiC MOSFET運用於電動車充電器和DC/DC轉換器等產品中時，可降低功率轉換時的損耗並實現散熱零件的小型化，高頻工作還可實現線圈小型化，有助於提高應用效率、減少零件數量並縮減安裝面積。
＜ROHM SiC功率元件開發歷史＞
＜名詞解釋＞
*1) MOSFET（Metal－Oxide－Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫）
金屬－氧化物－半導體場效應電晶體，是FET中最常用的結構，用作於開關元件。
*2) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣閘雙極電晶體）
同時具有MOSFET的高速開關特性和雙極電晶體的低傳導損耗特性的功率電晶體。
*3) 傳導損耗、切換損耗
因元件結構的緣故，MOSFET和IGBT等電晶體在使用時會產生損耗。傳導損耗是電流流過元件時（ON狀態時），受元件的電阻影響而產生的損耗。切換損耗是切換元件的通電狀態時（開關動作時）產生的損耗。
