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Littelfuse瞬態抑制二極體陣列為超高速介面提供超低電容ESD保護

本文作者:Littelfuse       點擊: 2019-06-10 08:09
前言:
達到AEC-Q101標準的器件性能超越基於聚合物的技術或放電器
2019年6月5日--Littelfuse, Inc.,今天宣佈推出兩個系列的雙向瞬態抑制二極體陣列(SPA®二極體),用於在PCB佈局尤其具有挑戰性的應用中保護超高速消費電子產品介面免受破壞性靜電放電(ESD)的損壞。 SP3208系列中的第一款瞬態抑制二極體陣列SP3208-01UTG經過製程及結構優化,可提供穩定的超低電容(標稱值為0.08 pF)。 第一款SP3213系列器件SP3213-01UTG則可提供具有較高成本效益的ESD保護解決方案。 
 

 
SP3208和SP3213系列瞬態抑制二極體陣列
兩款“超低電容ESD保護”器件均符合AEC-Q101標準,並採用相同的基模,可安全吸收±12 kV的重複ESD衝擊而不會影響性能,並可安全耗散2A的8/20μs浪湧電流。

SP3208和SP3213系列瞬態抑制二極體陣列的典型應用包括:
• 超高速資料線路和介面,例如USB 3.2、3.1、3.0、2.0、HDMI 2.1. 2.0、1.4a、1.3、DisplayPort™、Thunderbolt和V-by-One®,
• 低功率天線埠
• 消費類、移動及可擕式電子產品
• 平板電腦和帶有高速介面的外部存放裝置
不斷提升的資料速率給需要保持高度信號完整性的設計工程師帶來了巨大挑戰。”Littelfuse瞬態抑制二極體陣列(SPA二極體)業務開發經理Tim Micun表示。 “相比市面上的其他ESD保護解決方案,SP3208和SP3213系列的標稱電容要低50%,這有助於保持信號的完整性,並將資料遺失率降至最低。 提供超過30 GHz的傳輸頻寬,讓信號設計工程師可創造出高速且完整的資料環境。”

SP3208和SP3213系列瞬態抑制二極體陣列提供下列關鍵優勢:
• 低於0.1 pF基於矽的ESD保護可實現高達30 GHz的傳輸頻寬,為全世界最快的資料介面確保高度信號完整性。
• 採用內部結構增強的業界標準0201DFN封裝可減少寄生電容、電感和電阻,使得這些瞬態抑制二極體陣列能夠更加輕鬆地融入保護方案。
• 更低的寄生電容和電感可改善動態電阻性能,更快、更好地保護電路。

供貨情況
SP3208和SP3213系列瞬態抑制二極體陣列提供表面貼裝式µDFN-2 (0201)封裝,採用15,000只裝卷帶封裝。 您可通過全球各地的Littelfuse授權經銷商索取樣品。 如需瞭解Littelfuse授權經銷商名錄,請訪問littelfuse.com。

更多資訊
可通過以下方式查看更多資訊: SP3213系列瞬態抑制二極體陣列產品頁面 以及 SP3208瞬態抑制二極體陣列產品頁面。如有技術問題,請聯繫瞬態抑制二極體陣列業務開發經理Tim Micun:
tmicun@littelfuse.com
 
關於Littelfuse
Littelfuse (NASDAQ: LFUS)是領先電路保護、功率控制和傳感技術的全球製造商。 我們的產品行銷150多個國家,被用於汽車和商用車、工業應用、資料和電信、媒體設備、消費電子產品和電器中。 全球各地超過12,000名員工與客戶合作設計、生產和提供創新的高品質解決方案,打造更安全、更環保和更加緊密相連的世界——無處不在,每時每刻。 訪問Littelfuse.com瞭解詳情。
 

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