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ANSYS完成最新台積電5奈米FinFET製程技術認證

本文作者:ANSYS       點擊: 2019-04-23 16:13
前言:
台積電和ANSYS支援新世代應用電源完整性和可靠度多物理場解決方案
2019年4月23日--台積電(TSMC)和ANSYS(NASDAQ: ANSS)透過全新認證和完整半導體設計解決方案,幫助共同客戶滿足新世代行動、網路、5G、人工智慧 (AI)、雲端和資料中心應用持續增長的創新需求。
 
這些尖端應用的進步持續推動電源與熱限制環境中的效能極限。尤其在AI應用部分,包括雲端與邊緣運算的訓練及資料推論,都需要功率更高且功能更強大的高效能處理器。
 
台積電針對其最新5奈米 (nm) FinFET製程技術進行了ANSYS® RedHawkTM和ANSYS® Totem TM多物理場 (multiphysics)解決方案的認證。這些認證包括萃取(extraction)、電源完整性和可靠度、訊號電子遷移 (electromigration;EM) 和熱可靠度分析、以及統計EM預算 (SEB) 分析。這些認證最佳化行動和高效能運算 (HPC) 應用,支援台積電最先進製程技術的低耗電解決方案。
 
台積電設計基礎架構行銷事業部資深協理Suk Lee(senior director, design infrastructure management division)表示:「ANSYS解決方案針對台積電領先業界的5奈米FinFET、7奈米、以及7奈米FinFET Plus製程認證,讓我們共同客戶因應不斷增長的效能、可靠度和電源挑戰更有信心地確認並認證其設計。我們和ANSYS合作的成果豐碩,主要幫助客戶在尖端AI、資料中心、雲端和行動應用方面等高成長市場獲得成功。」
 
ANSYS總經理John Lee表示:「多物理場分析支援7nm及更小的FinFET晶片設計。我們很榮幸能與台積電合作,提供解決方案幫助我們共同的客戶達成對於電源、效能、晶片面積和可靠度的目標。」

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