當前位置: 主頁 > 新聞 >
 

目標高階智慧型手機市場Western Digital推出業界首創96層3D NAND UFS 2.1嵌入式快閃記憶體

本文作者:Western Digital       點擊: 2018-10-11 11:32
前言:
先進的UFS介面嵌入式快閃記憶體,能為數據密集的新世代智慧型手機、平板電腦及運算裝置提供不間斷運行 (Always-On) 體驗

2018年10月11日--Western Digital公司今日推出業界首款96層3D NAND UFS 2.1嵌入式快閃記憶體 (EFD, embedded flash drive)  Western Digital iNAND® MC EU321。Western Digital iNAND® MC EU321專為高階行動和運算裝置所設計,包括人工智慧(AI)、擴增實境(AR)、多鏡頭高解析度攝影、4K影片拍攝等各式需要高效能的應用都能夠加速運行,擁有不間斷的運行體驗。
 
 
採用Western Digital的96層3D NAND技術、先進的UFS 2.1介面技術和Western Digital的iNAND SmartSLC 5.1架構,新推出的Western Digital iNAND® MC EU321嵌入式快閃記憶體為智慧型手機、平板電腦和個人筆電裝置帶來卓越的數據效能,即使裝置容量空間接近全滿,消費者仍能享受順暢的行動體驗。
 
Western Digital產品行銷資深總監Oded Sagee表示:「行動裝置已成為我們日常連網生活的中心。隨著5G連網速度、4K高畫質影片、擴增實境和虛擬實境等應用興起,也促使著智慧型手機、平板電腦和筆記型電腦所需具備的功能持續轉型;使用者對於產品的期待,以及支援這些豐富使用者體驗的技術需求也越來越高。」Oded Sagee進一步指出:「我們的3D NAND技術提供使用者更大的嵌入儲存容量,以支援整個智慧型手機生命週期中的數據需求。除此之外,相較於採用傳統儲存架構的裝置在儲存容量近滿時效能會降低,專為維持高效能而打造的Western Digital iNAND MC EU321嵌入式快閃記憶體,能讓使用者持續創造、保存並享受他們一致的數位體驗。」
 
隨著更多以數據為中心的應用將在行動及運算裝置上運行,預期將帶動未來幾年行動數據在數量、傳輸速度與數據種類的爆發性的成長。
• 多鏡頭高解析度行動攝影與錄影,以及人工智慧輔助攝影,為使用者提供了創造、分享其數位內容的全新功能。
• 5G網路使下載和傳輸速度變得超快速,改變了消費者及其裝置與內容互動的方式。
• 位於行動裝置邊緣(edge)並由5G所驅動的人工智慧功能,提供了即時擷取、數據處理以及從中學習的能力。
 
研究機構Counterpoint Research表示,2017到2021年間NAND flash平均儲存容量年複合成長率(CAGR)將高達28%,主要是由於成熟平板電腦使用者壓抑已久的換機需求所帶動,特別是隨著娛樂及生產力成為主流使用情境,讓他們開始將裝置升級為螢幕更大、容量更高的功能強大連網機種。
 
所有這些數據密集的應用都需要更大容量和更快速度,以滿足消費者對行動裝置隨時隨地都能即時運作(on-the-go)的期望。2018年上半年出貨智慧型手機的嵌入式儲存容量,相較2017年上半年增加了40%,平均每支智慧型手機都有51GB的儲存容量 ,從而帶動市場對更高容量和更智慧儲存技術的需求提升。
 
針對數據密集、高階行動裝置進行最佳化
iNAND MC EU321是iNAND系列最新生力軍,該系列10多年來深受全球各大智慧型手機及平板電腦製造商的信賴。iNAND MC EU321嵌入式快閃記憶體連續寫入效能高達550MB/s,能提供卓越的使用者體驗。Western Digital目前已針對儲存解決方案提供OEM客戶樣本,容量最高為256GB 。
 
關於Western Digital
Western Digital Corporation推動數據繁榮,締造輝煌成就。該公司提供創新的儲存技術和解決方案,能讓用戶創建丶保存丶存取丶體驗和改變日益增加的數據多樣性。從先進的資料中心丶行動裝置感測器,到個人的裝置,數據無所不在,我們提供業界領先的解決方案來探索數據的可能性。Western Digital®以數據為中心的解決方案會以G-Technology™、HGST、SanDisk®、Tegile™、Upthere™ 和 WD®品牌銷售。

 

電子郵件:look@compotechasia.com

聯繫電話:886-2-27201789       分機請撥:11