2017年3月8日--力旺電子今日宣布，其NeoFuse矽智財已在有機發光二極體顯示器(Organic Light-Emitting Diode, OLED)驅動晶片所需之各世代高壓(High Voltage)製程平台完成全方位佈建，OLED驅動晶片是近期高壓製程平台需求快速成長的動能之一，力旺電子跨足市場需求漸高的OLED應用領域，與多家世界級晶圓代工廠合作，提供OLED客戶最全面的NVM矽智財解決方案，大為提升客戶之產品競爭力。
力旺電子的NeoFuse矽智財在不同製程平台上均展現工作電壓範圍廣、客戶端使用彈性大、可靠度佳、安全性高等技術優勢，在針對OLED應用所衍生的具備8伏特中壓元件的高壓製程平台中，NeoFuse也同樣展現了在40奈米高壓製程所表現的優異規格特性。不僅如此，NeoFuse的操作電壓可低至2.3伏特，高至4.5伏特，如此優於一般的工作電壓範圍，有利於驅動晶片在系統啟動前即完成資料讀取與調校，進而達到節省功耗的效果，客戶端產品設計也更具彈性。
力旺矽智財針對顯示器驅動晶片(Display Driver IC, DDI)與觸控面板感應晶片(Touch with Display Driver Integration IC, TDDI)的解決方案已成功被各國世界級的晶圓代工廠所採用，截至2016年底，完成設計定案(Tape Out)的數量為已超過460件，出貨量也已超過7百萬片。隨著對顯示器驅動晶片的需求快速提升，以及OLED應用領域的快速拓展，我們樂觀地預期NeoFuse矽智財在高壓製程中的被採用度將有顯著的成長。
力旺電子持續地在各製程平台廣泛且全面地佈建其矽智財，與晶圓代工廠夥伴與IC設計客戶保持緊密的合作關係，以應對快速變化的技術與市場趨勢，我們堅持提供最優異的技術、最快速的服務，協助客戶在新一波的市場競爭中取得領先地位。
關於力旺電子：
力旺電子(股票代碼:3529)成立於2000年8月，專注於邏輯製程嵌入式非揮發性記憶體矽智財開發。自成立迄今，力旺電子投入研發自有創新技術，開發出NeoBit(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoFuse(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoMTP(一千次以上重複讀寫編程元件)、NeoFlash(一萬次以上重複讀寫編程元件)、NeoEE(十萬次以上重複讀寫編程元件)等領先性產品，並持續發展先進技術，致力於提供客戶廣泛的矽智財技術服務、非揮發性記憶體元件與嵌入式記憶體應用等，為全方位之嵌入式非揮發性記憶體矽智財供應商。如需取得更多力旺相關資料，請參見官方網站：www.ememory.com.tw.
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力旺電子(股票代碼:3529)成立於2000年8月，專注於邏輯製程嵌入式非揮發性記憶體矽智財開發。自成立迄今，力旺電子投入研發自有創新技術，開發出NeoBit(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoFuse(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoMTP(一千次以上重複讀寫編程元件)、NeoFlash(一萬次以上重複讀寫編程元件)、NeoEE(十萬次以上重複讀寫編程元件)等領先性產品，並持續發展先進技術，致力於提供客戶廣泛的矽智財技術服務、非揮發性記憶體元件與嵌入式記憶體應用等，為全方位之嵌入式非揮發性記憶體矽智財供應商。如需取得更多力旺相關資料，請參見官方網站：www.ememory.com.tw.
