科銳的碳化矽MOSFET協助日本推動日益擴大的太陽能基礎建設
前言：
日本Sanix公司最新的太陽能逆變器採用科銳C2M系列碳化矽MOSFET以實現最佳的系統性能、可靠性和定價組合
2014年9月17日--科銳公司(Nasdaq: CREE) 日前宣佈其1200V、80毫歐姆的C2M™系列碳化矽(SiC) MOSFET已獲得日本Sanix公司採用，納入其新型9.9kW三相太陽能逆變器的設計內，而該逆變器用於正在快速成長的日本太陽能市場中的商用化太陽光發電系統。
Sanix公司總經理Hiroshi Soga表示：「藉著與科銳的夥伴關係和其擁有的碳化矽技術，我們能夠在競爭激烈的日本太陽能市場中取得更高的市占率。科銳的碳化矽MOSFET對Sanix而言非常重要，使我們得以實現效率和散熱設計目標。和我們考慮中的矽超級接面MOSFET (silicon super-junction MOSFET)相比，碳化矽開關在我們的太陽能逆變器電子中可降低損失超過30%以上。科銳最新一代C2M系列碳化矽MOSFET除了可提供大幅的效率增益外，在定價上也具有競爭力，因此可以取代電壓、耐用性和效率都較低的矽功率MOSFET。」
科銳1200V 的C2M0080120D MOSFET用於太陽能逆變器的初級功率轉換階段，提供更快的開關特性，而開關損失甚至僅為同等評級的額定電壓900V矽超級接面MOSFET的三分之一。藉著大幅減少開關損失，科銳的碳化矽MOSFET能實現較少的系統總能量損失、較高的頻率切換、以及較低的操作溫度。這些優點提升了轉換效率，同時降低系統的尺寸、重量、複雜性和熱管理要求。在系統層級方面，系統性能獲得提升、成本得以降低、而太陽能逆變器的壽命也得以延長。
科銳功率和射頻部門總經理暨副主席Cengiz Balkas表示：「我們非常高興見到Sanix在其新型9.9kW太陽能逆變器中，採用科銳1200V C2M系列碳化矽MOSFET技術。科銳碳化矽功率裝置能為太陽能逆變器的效率、可靠性和成本等方面提供顯著的優勢，並且隨著Sanix公司不斷擴大在日本太陽能市場的市占率的同時，為其提供關鍵性的競爭優勢。」
科銳的C2M系列碳化矽MOSFET經證實比傳統的矽技術可實現高達三倍之多的功率密度，並提供了1200V和1700V，範圍從1Ω至25 mΩ的型號選擇。C2M系列的MOSFET自2013年三月上市以來受到一系列工業功率應用產品採用，並持續面臨需求不斷增加的情況。科銳目前所提供的碳化矽MOSFET產量，主要是供應給Sanix和其他太陽能逆變器製造商，此外還有工業電源供應器、輔助功率轉換器、電池充電器及馬達驅動器的製造商。
要瞭解有關科銳C2M SiC MOSFET的更多資訊，請參閱公司網站www.cree.com/Power/Landing-pages/MOSFET-products。要獲取C2M SiC MOSFET模型，請參閱公司網站：www.cree.com/Power/Tools-and-Support/MOSFET-model-request2。其他更多關於科銳電源產品的訊息，請到下列網站下載科銳的電源產品選購指南：www.cree.com/~/media/Files/Cree/Power/Sales%20Sheets/Power_Product_Selector_Guide.pdf。
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關於科銳 (Cree)
科銳是照明級LED、LED照明，以及電源和射頻(RF)應用半導體產品的市場領先創新廠商。
科銳的產品系列包括電源MOSFET、電源二極體和電源模組。此外，科銳還提供LED燈具和燈泡、藍光和綠光LED晶片、高亮度LED、照明級大功率LED、功率開關元件和RF元件。科銳的產品正在推動例如: 一般照明、電子顯示和訊號、電源和太陽能逆變器等應用的改進。要瞭解有關科銳和產品的更多資訊，請參閱公司網站www.cree.com。
