2013年08月28日--LSI公司(NASDAQ: LSI)日前於美國加州Santa Clara會議中心舉辦的Flash Memory Summit中展示最新的LSI® SandForce®快閃記憶體控制器創新技術。
LSI資深副總裁暨技術長Greg Huff 於大會中發表主題演說，許多來自LSI的快閃記憶體專家也於論壇中提出他們對各種最新快閃記憶體相關技術與趨勢之深度觀點，以及這些全新技術如何改變IT產業。
LSI的展出包括LSI SHIELD™技術，此項先進的錯誤校正技術，可提供企業級SSD的耐用性和資料完整性，甚至當企業使用較便宜但錯誤率較高的快閃記憶體時，也可擁有同樣效益。SHIELD技術是一項獨特的技術，可將低密度奇偶校正 (low-density parity-check, LDPC) 碼和數位訊號處理 (digital signal processing, DSP)功能內建於新一代的SandForce快閃記憶體控制器中。此外，這項技術更結合了語言訊號的直接解調(hard decision) 、逐漸解調(soft decision) 方法及數位訊號處理，可提供最佳化解決方案給擁有全面錯誤校正碼 (error correction code, ECC)的快閃記憶體。
LSI SHIELD技術特別結合了以下多項功能，相較目前各種低密度奇偶校正碼的方法，提供更多優勢：
- 可調式碼率：在整個SSD產品週期中可靈活地平衡效能與可靠度之需求
- 智慧型處理瞬間雜訊：可降低整體低密度奇偶校正碼的延遲率，以提升錯誤修正碼的效率
- 多重錯誤校正碼架構：聰明地運用更強效能的錯誤校正碼將延遲率降到最低，並能同時保持最佳快閃記憶體效能
LSI快閃記憶體元件部門副總裁暨總經理Huibert Verhoeven表示：「現今製程技術愈加微縮，以不斷提升NAND快閃記憶體的價值，並促使快閃記憶體儲存的普及，隨之而來的是較低的可靠度和較短的使用週期。LSI SHIELD技術可針對SSD最佳化的先進錯誤校正功能，來協助解決這些挑戰，並將最新的NAND快閃記憶體轉換成為更堅固耐用的儲存解決方案。」
LSI 展示內容：
SHIELD技術：現場展示是藉由快閃記憶體不同的未更正位元錯誤更正率 (raw bit-error rates, RBER) 來比較SHIELD技術、目前低密度奇偶校正碼和BCH(Bose-Chaudhuri-Hocquenghe)碼三種方法，其中SHIELD技術在錯誤校正方面的優勢不言而喻。
DuraWrite™ 虛擬容量 (DuraWrite Virtual Capacity, DVC)：為SandForce快閃記憶體控制器一項特殊的功能，可將一般資料的儲存容量擴充至高於底層快閃記憶體的實際容量。藉由增加同一實體快閃記憶體的儲存容量，DVC有助降低使用者每GB可用儲存容量的成本。LSI以一般資料庫應用程式進行的內部測試顯示，DVC可提供三倍以上的資料儲存容量給儲存使用者。同時DVC同也有不同的應用。
東芝先進的19奈米快閃記憶體：LSI SandForce SF-2000快閃控制器現可支援東芝第二代先進的19奈米NAND快閃記憶體 (A19nm)，可讓SSD製造商生產更多經濟實惠的SSD產品。採用東芝A19nm快閃記憶體技術的SSD可用作第二個磁碟進行一般的檔案傳輸作業。
客戶贈言
金士頓SSD業務經理 Ariel Perez 表示：「金士頓很榮幸將LSI最新的 SandForce DuraWrite虛擬容量提供給我們長期合作的知名客戶。藉由與儲存工程師密切的合作，我們得以驗證大量降低客戶每GB可用儲存容量成本方案是可行的。DVC虛擬容量使更多的企業用戶利用性能優勢從傳統硬碟轉換成以快閃記憶為基礎的SSDs。」
東芝美國電子元件公司記憶體事業部副總裁表示：「與LSI長期密切合作幫助東芝第二代先進的19奈米NAND快閃記憶體 (A19nm)固態硬碟首次問世。LSI SandForce 快閃控制器的設計提供了我們整合A19nm的NAND快閃技術的靈活性，讓東芝在固態硬碟儲存市場扮演著重要的角色。」
關於LSI
LSI Corporation(NASDAQ：LSI)為創新晶片及軟體技術之領導供應商，協助提升資料中心、行動網路和終端裝置運算之儲存效能與網路速度。LSI所發展的智慧型技術為強化應用效能的重要關鍵，並與合作夥伴合作，應用LSI技術共同開發解決方案。如欲獲得更多資訊，歡迎瀏覽公司網站：http://www.lsi.com。
