快捷半導體推出高雙功率晶片非對稱N通道模組MOSFET

隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面對在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰。快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm²低側高雙功率晶片非對稱N通道模組 FDPC8011S，協助設計人員應付這一系統挑戰。

FDPC8011S專為開關頻率更高的應用而開發，在一個採用全Clip封裝內整合1.4mΩ SyncFET^TM 技術和一個5.4mΩ控制MOSFET、低品質因子的N通道MOSFET，有助於減少同步降壓應用中的電容數量，同時縮小電感尺寸。該元件具有源極向下和低側MOSFET，可以達成簡單的佈局和佈線，提供更小巧的線路板佈局及最佳的散熱性能。FDPC8011S具有超過25A的輸出電流，容量比其它普通3x3mm² 雙MOSFET元件提高2倍。

要瞭解更多的資訊及索取樣品，請瀏覽公司網頁：http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDPC8011S.pdf

特性和優勢

      ·         控制N通道MOSFET  R_DS(ON) = 5.4mΩ 典型值，(最大7.3mΩ) V_GS = 4.5V

·          同步N通道MOSFET  R_DS(ON) = 1.4mΩ 典型值，(最大2.1mΩ ) V_GS = 4.5V

·          低電感封裝縮短上升/下降時間，實現更低的開關損耗

·          整合MOSFET提供最佳佈局，降低線路電感並減少開關節點振鈴

·         無鉛RoHS封裝

新增的3.3x3.3mm² Power Clip 非對稱雙MOSFET是全面廣泛的PowerTrench MOSFET產品系列的一部分，能夠為電源設計人員提供了大量針對任務關鍵性高效資訊處理設計的解決方案。

快捷半導體公司簡介

 美國快捷半導體公司 (Fairchild Semiconductor；紐約證券交易所代號：FCS) － 全球營運、本地支援、創新觀念。快捷半導體為電源和可攜式設計提供高效率、易於應用及高附加價值的半導體解決方案。我們協助客戶開發差異化的產品，並以我們在功率和訊號路徑產品上的專業知識解決其遇到的困難技術挑戰。要瞭解更多資訊，請瀏覽網站：www.fairchildsemi.com。