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UnitedSiC（現為 Qorvo®）針對電源設計擴展更高性能和效率750V SiC FET 產品組合

本文作者：Qorvo 點擊： 2022-07-27 10:42

前言：

七款D2PAK 表面貼裝元件可提供更大靈活性

2022年7月26日-- Qorvo®（納斯達克代碼：QRVO）今天宣佈推出採用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化矽 (SiC) FET，借助此封裝選項，Qorvo SiC FET可為車載充電器、軟切換 DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業）以及IT/伺服器電源等快速增長應用量身客制，能夠為在熱增強型封裝中實現更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益高功率應用提供更佳解決方案。

Qorvo 第四世代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時具有9mΩ之業內更低 RDS(on)，其額定值分別為 9、11、18、23、33、44 和 60mΩ。這種廣泛選擇可為工程師提供更多元件選項，從而具有更高靈活性，以實現更佳成本/效率平衡，同時保持充足設計冗餘和電路牢固性。利用獨特疊接式（cascode） SiC FET 技術，其中常開型 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以生成常關型 SiC FET，這些元件可提供同類更佳 RDS x A 品質因數，能夠以較小晶片實現較低傳導損耗。

Qorvo 旗下UnitedSiC首席工程師 Anup Bhalla 表示：「D2PAK-7L 封裝可降低緊湊型內部連接環路電感，與包含的 Kelvin 源極連接一起，可降低切換損耗，從而實現更高操作頻率和更高系統功率密度。這些元件還採用銀燒結（silver-sinter）晶片貼裝技術，熱阻非常低，可透過標準 PCB 和帶液體冷卻IMS 基板最大限度散熱。」

採用 D2PAK-7L 封裝新型 750V 第 4 世代 SiC FET 單價（1000 片以上，美國離岸價）從 UJ4C075060B7S 的 3.50 美金到 UJ4SC075009B7S 的 18.92 美金不等。所有元件均可從授權經銷商處獲得。

Qorvo 旗下UnitedSiC UJ4C/SC 第 4 世代 SiC FET 系列能夠提供業內更佳性能品質因數，進而在更高速度下降低傳導損耗並提高效率，同時提高整體成本效益，欲詳細瞭解更多訊息，請參考：https://unitedsic.com/group/uj4c-sc/。欲下載 Qorvo SiC FET 使用者指南，請點擊此處。

關於 Qorvo

Qorvo（納斯達克代碼：QRVO）長期堅持提供創新的射頻解決方案以實現更加美好的互聯世界。我們結合產品和領先的技術優勢、以系統級專業知識和全球性的製造規模，快速解決客戶最複雜的技術難題。Qorvo 服務於全球市場，包括先進的無線設備、有線和無線網路和防空雷達及通信系統。我們在這些高速發展和增長的領域持續保持著領先優勢。我們還利用我們獨特的競爭優勢，以推進 5 G 網路、雲計算、物聯網和其他新興的應用市場以實現人物、地點和事物的全球互聯。訪問 www.qorvo.com 瞭解 Qorvo如何創造美好的互聯世界。

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