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英飛凌推出採用 PQFN 2x2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET 樹立技術新標準

本文作者:英飛凌       點擊: 2022-03-15 10:01
前言:
2022年3月15日--英飛凌科技股份有限公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出全新採用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列,旨在為分立式功率 MOSFET 技術樹立全新的業界標準。這些新元件採用薄晶圓技術和創新的封裝,尺寸極小,卻具有顯著的性能優勢。OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列已針對伺服器、通訊、可攜式充電器和無線充電等SMPS應用中的同步整流進行了優化。這些功率MOSFET還可在無人機中,應用於小型無刷馬達的ESC(電子速度控制)模組。眾所周知,無人機通常需要尺寸小、重量輕的元件。

這些領先的功率MOSFET元件採用PQFN 2x2封裝,具備更高的功率密度、小巧的外形尺寸以及業界極低的導通電阻,能夠進一步降低能耗。2 x 2 mm2的小尺寸封裝,為PCB 佈線提供了更高的靈活性。此外,該解決方案還具有出色的電氣性能,可進一步提高終端應用的功率密度,縮小外形尺寸。同時,系統溫度的降低、性能的提升,也讓熱管理變得更加輕鬆。這些特性有助於實現更精巧的客戶應用,充分節省空間、降低系統成本,打造易於設計的產品。

供貨情況
採用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25 V和 30 V功率MOSFET產品系列現已上市: 
PQFN 2x2 25 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 2.4 mΩ (ISK024NE2LM5)
PQFN 2x2 30 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 3.6 mΩ (ISK036N03LM5)
 
更多訊息,敬請造訪 25 V/30 V OptiMOSTM 5。
 
圖說:英飛凌OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列具備更高的功率密度、小巧的外形尺寸以及業界極低的導通電阻,能夠進一步降低能耗。2 x 2 mm2的小尺寸封裝,為PCB 佈線提供了更高的靈活性。
 
更多資訊請參考:www.infineon.com
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