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埃賦隆推出“突破性” Si LDMOS器件,在VHF和UHF應用中效率達到80%

本文作者:埃賦隆       點擊: 2020-07-03 11:38
前言:
BLF978P – 1200W Si LDMOS和BLF974P – 500W Si LDMOS

2020年7月2日--埃賦隆半導體(Ampleon)今天宣佈,在其第9代高效能50V Si LDMOS高效率射頻功率電晶體產品系列中新增兩款產品——BLF978P和BLF974P。這兩款產品專為超高功率射頻功率放大器而設計,可提供數百千瓦功率,並具有很高的效率和高增益特性。
在AB類工作條件下,這兩款功率電晶體在225MHz時均可提供高達80%的工作效率。在千瓦級輸出的射频系統中,由於高效熱管理的需求是項關鍵的設計考量,因此能源效率成為一個極其重要的方面。同樣,為了提高系統的可靠性並提供節能、節省成本的射頻效能,工業和科學應用也將熱設計視為一項關鍵要素而優先考量。
 
電晶體的高功率和高增益可簡化放大器的比例縮放,使其輕鬆達到工業和科學應用所需的高功率水準。1,200W BLF978P和500W BLP974P通常可在225MHz至700MHz的頻率範圍內提供25dB的功率增益。
 
欲瞭解有關埃賦隆最新的50V Si LDMOS射頻功率電晶體的更多資訊,請點擊此處:BLF978P、BLF974P。而有關的視頻,請訪問www.ampleon.com/amplify
 
BLF978P和BLF974P可直接從埃賦隆或從授權經銷商RFMW和得捷電子(Digi-Key)進行購買。

關於埃賦隆半導體(Ampleon):
埃賦隆半導體創立於2015年,在射頻功率領域擁有50年的領導地位,旨在發揮射頻領域資料和能量傳輸的全部潛力。埃賦隆半導體在全球擁有超過1,650名員工,致力於為客戶創造最佳價值。其創新而又一致的產品組合,可為諸如行動寬頻基礎設施、無線電和電視廣播、CO2雷射器和電漿、核磁共振成像(MRI)、粒子加速器、雷達和空中交通管制、非蜂巢式通訊、射頻烹飪和除霜、射頻加熱和電漿照明等廣泛應用提供產品和解決方案。欲瞭解有關該射頻功率領域全球領先合作夥伴的詳細資訊,請訪問www.ampleon.com

 

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