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埃賦隆宣佈面向ISM應用推出業界最耐用的2kW RF功率LDMOS電晶體

本文作者:埃賦隆       點擊: 2019-05-09 08:26
前言:
2019年5月8日--埃賦隆半導體(Ampleon)現在宣佈基於其成熟的第9代高壓LDMOS制程技術派生出先進加固技術(Advanced Rugged Technology,ART),並借此開發出新系列射頻功率器件中的首款產品。這個新制程的開發旨在用於實現極其堅固的、工作電壓高達65V的電晶體。
 
首款採用該制程的產品ART2K0FE是一款2kW的電晶體,其頻率響應為0至650MHz,採用氣腔陶瓷封裝。其設計能夠承受工業、科學和醫療(ISM)應用中常見的最惡劣的條件,可用於驅動大功率CO2雷射器、電漿發生器和一些MRI系統。ART器件之所以適用于這些應用,是因為其可以處理65V條件下高達65:1的駐波比(VSWR)失配,而這在CO2雷射器和電漿發生器工作時可能碰到。
 
基於ART制程開發的器件具有很高的阻抗,因此在開發階段更容易將其整合到產品中,並確保在批量生產中具有更高的產品一致性。該制程還可使所開發的器件比LDMOS競爭產品更加高效。這樣便可透過節省輸入電能,降低發熱,來降低最終應用的運營成本。此外,採用該制程的器件還可實現更高的功率密度,也就是說,它們可以採用更小、更低成本的封裝,從而減少其電路板佔位面積,進而降低系統成本。
 
ART器件還具有高擊穿電壓,有助於確保它們在整個預期壽命期間始終如一地可靠工作。埃賦隆半導體還保證這類器件可以供貨15年,從而使產品設計人員可以進行長期規畫。
 
採用氣腔陶瓷封裝的ART2K0FE現可提供樣品,並有不同頻率的參考電路可以選擇。埃賦隆半導體還提供較低熱阻的超模壓塑膠版本ART2K0PE。兩種版本預計在2019年下半年量產。
 
關於埃賦隆半導體(Ampleon):
埃賦隆半導體創立於2015年,在射頻功率領域擁有50年的領導地位,旨在發揮射頻領域資料和能量傳輸的全部潛力。埃賦隆半導體在全球擁有超過1,350名員工,致力於為客戶創造最佳價值。其創新而又一致的產品組合,可為諸如行動寬頻基礎設施、無線電和電視廣播、CO2雷射器和電漿、核磁共振成像(MRI)、粒子加速器、雷達和空中交通管制、非蜂巢式通訊、射頻烹飪和除霜、射頻加熱和電漿照明等廣泛應用提供產品和解決方案。欲瞭解有關該射頻功率領域全球領先合作夥伴的詳細資訊,請訪問www.ampleon.com

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