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Littelfuse宣佈推出1700V、1 Ohm碳化矽MOSFET

本文作者:Littelfuse       點擊: 2018-10-23 08:06
前言:
支援電動和混合動力汽車、資料中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應用
2018年10月22日--Littelfuse公司,今日宣佈推出其首款1700V碳化矽MOSFET LSIC1MO170E1000,擴充了其碳化矽MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化矽MOSFET產品的重要補充,也是Littelfuse公司已發佈的1200V碳化矽MOSFET和蕭特基二極體的強有力補充。最終使用者將受益於更加簡潔節能的系統以及潛在更低的總體擁有成本。
 

碳化矽MOSFET LSIC1MO170E1000
 
碳化矽MOSFET技術帶來的高效性可為諸多要求嚴格的應用提供多重優勢,包括電動和混合動力汽車、資料中心及輔助電源。 相比同類的Si IGBT,LSIC1MO170E1000碳化矽MOSFET可帶來一系列系統級優化機會,包括提高效率、增加功率密度、降低冷卻要求以及降低系統級成本的可能性。

此外,相比市面上其他業內領先的碳化矽MOSFET器件,Littelfuse碳化矽MOSFET可在各方面提供同等或更優越的性能。 碳化矽MOSFET LSIC1MO170E1000的典型應用包括:
• 太陽能逆變器
• 開關模式和不斷電電源供應系統
• 電機驅動器
• 高壓DC/DC轉換器
• 感應加熱器
 
“此產品可改善現有應用,並且Littelfuse應用支援網路可促進新的設計方案。”Littelfuse半導體事業部電源半導體全球產品行銷經理Michael Ketterer表示。 “碳化矽MOSFET可為傳統矽基型功率電晶體器件提供富有價值的替代選擇。 相比同類IGBT,MOSFET器件結構可減少每個週期的開關損耗並提高輕載效率。 固有的材料特性讓碳化矽MOSFET能夠在阻斷電壓、特定導通電阻和介面電容方面優於矽MOSFET。”

新推出的1700V、1 Ohm碳化矽MOSFET採用TO-247-3L封裝,具有以下關鍵優勢:
• 專為高頻、高效能應用優化
• 極低閘極電荷和輸出電容
• 低閘極電阻,適用於高頻開關
 
供貨情況
LSIC1MO170E1000碳化矽MOSFET採用450只裝TO-247-3L管式封裝。 您可通過全球各地的Littelfuse授權經銷商索取樣品。 如需瞭解Littelfuse授權經銷商名錄,請訪問littelfuse.com。
 
如要瞭解更多資訊:
可通過以下方式查看更多資訊: LSIC1MO170E1000E碳化矽MOSFET產品頁面。

如要瞭解供應情況、初始定價和一般技術諮詢,請聯繫Littelfuse半導體事業部電源半導體全球產品行銷經理Michael Ketterer:
mketterer@littelfuse.com

如有技術問題,請聯繫:電源半導體熱線:
powersemisupport@littelfuse.com
 
關於 Littelfuse
Littelfuse 公司成立於 1927 年,是電路保護領域的全球領導者,在功率控制和傳感方面擁有不斷增長的全球平臺。該公司為電子、汽車和工業市場的客戶提供包括保險絲、半導體、聚合物、陶瓷、繼電器和感測器等技術。Littelfuse 在全球 50 多個國家和地區擁有超過 1.1 萬名員工。有關更多資訊,請訪問
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