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Western Digital 發布全球首個64層3D NAND記憶體技術

本文作者:Western Digital       點擊: 2016-07-28 15:48
前言:
256 Gigabit 3位元晶片體積為業界最小
2016年7月28日-- Western Digital 公司 (NASDAQ: WDC) 今日宣布成功開發下一代3D NAND技術BiCS3,具有64層垂直儲存功能。新技術產品將在位於日本四日市的合資晶圓廠進行試產,預計今年稍晚即開始正式生產。Western Digital預估BiCS3在2017上半年開始商業量產。
 


Western Digital記憶體技術部門執行副總裁Siva Sivaram博士表示:「運用我們領先業界64層架構為基礎,推出下一代3D NAND技術,將增強我們在NAND快閃技術的領導地位。BiCS3採用了3位元 (3-bits-per-cell) 技術,並在高深寬比半導體處理上實現進展,能夠以更優成本提供更高容量、出色效能,並具有更高的可靠度。加上BiCS2,我們的3D NAND產品組合將大幅擴充,提升了我們滿足零售、行動與資料中心整體客戶應用需求的能力。」

BiCS3是Western Digital和其技術及製造夥伴Toshiba攜手開發的結晶,初期將提供256 gigabit容量規格,日後還會擴充至一顆晶片0.5 terabit的容量。Western Digital預計BiCS3產品在2016年第4季向零售市場大量出貨,本季開始向OEM廠商送樣,上一代3D NAND技術的BiCS2仍會繼續向零售與OEM客戶供貨。     
 
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