半導體製造商ROHM株式會社(總公司:日本京都市)針對伺服器和高階電腦等的電源PFC電路※1，研發出最適合的第3代SiC（Silicon Carbide：碳化矽）蕭特基二極體(以下稱為SiC-SBD) 「SCS3系列」。
本產品採用全新的構造，保持前代SiC-SBD業界最小順向電壓※2(VF=1.35V、25℃)，同時又可以確保高突波電流耐受量。如此一來，就能夠運用在伺服器和高階電腦等的電源PFC電路上，進而提升應用裝置的效率。
此外，本產品自2016年3月開始提供樣品，預定4月開始依序量產。前製程的生產據點為ROHM阿波羅株式會社（福岡縣）、後製程則是在ROHM Korea Corporation（韓國）。
ROHM半導體今後將繼續努力擴大SiC元件的陣容，進而幫助功率電子裝置節能。
背景
近幾年太陽能發電系統和產業用各種電源裝置、電動汽車、家電等功率電子領域，為了能藉由提升功率轉換效率，進而節能，市場需求效率更高、更好的功率元件。SiC元件的材料物性比傳統的Si元件還要好，已經逐漸為上述應用裝置所採用。尤其是伺服器等須提升電源效率的裝置，電源上使用SiC-SBD產品，就能充分發揮該產品的高速回復特性，運用在PFC電路後，可望進一步提升裝置的效率。而在上述用途之中，最重要的莫過於突波電流※3的耐受量了。ROHM半導體的SiC-SBD產品雖然第1代、第2代皆獲得客戶好評，但為了進一步擴大應用範圍，採用了新的元件構造，成功研發出保有業界最低VF值的特性，同時又具高突波電流耐受量的產品。
近幾年太陽能發電系統和產業用各種電源裝置、電動汽車、家電等功率電子領域，為了能藉由提升功率轉換效率，進而節能，市場需求效率更高、更好的功率元件。SiC元件的材料物性比傳統的Si元件還要好，已經逐漸為上述應用裝置所採用。尤其是伺服器等須提升電源效率的裝置，電源上使用SiC-SBD產品，就能充分發揮該產品的高速回復特性，運用在PFC電路後，可望進一步提升裝置的效率。而在上述用途之中，最重要的莫過於突波電流※3的耐受量了。ROHM半導體的SiC-SBD產品雖然第1代、第2代皆獲得客戶好評，但為了進一步擴大應用範圍，採用了新的元件構造，成功研發出保有業界最低VF值的特性，同時又具高突波電流耐受量的產品。
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