2016年1月13日--東芝半導體與儲存產品公司封裝技術再躍進，研發推出新一代N-channel MOSFET 30V及60V系列，皆以U-MOS IX-H溝槽式半導體製程為基礎設計，此設計已被使用於降低導通電阻，在各種不同載量下帶來最佳效率；同時也可降低輸出電容。適用於通信設備、伺服器和Data center及網通產品的電源供應器；最新的製程技術，將有助於提高電源的效率。
以U-MOS IX-H溝槽式製程為基礎，進而發展雙面散熱各式規格的高效能小型化封裝，東芝歐洲分部已開始對原使用低壓MOSFET 40V的客戶推廣30V與60V的新封裝產品。在DSOP封裝的散熱效率上有顯著改善；目前雙面散熱全系列皆可在台灣區提供樣品測試。
東芝新一代功率MOSFET產品幫助設計者降低各種電源管理電路的損耗及縮小板子的空間，包含直流-直流轉換器的high side 及low side開關，以及交流-直流設計中的二次側同步整流。此技術也適合馬達控制及鋰電池電子設備中的保護模組。
在VGS為10V時，30V MOSFET的最大導通電阻僅0.6mΩ，Coss的標準值是2160pF。60V產品提供的導通電阻及Coss的標準值: 1.3mΩ及960pF。這可確保加強在既定應用上優化性能的靈活性。
此二款MOSFET U-MOS IX-H 30V與60V系列均可用於薄型表面黏著封裝DSOP Advance，兩者的PCB面積僅5mm x 6mm。選用DSOP Advance方案可顯著地幫助降低系統的溫度，使設計上允許使用較小的散熱片或省去散熱片。此外，所有的MOSFET可操作的通道溫度達175℃。
台灣東芝電子零組件股份有限公司 (TET) 簡介
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台灣東芝電子零組件股份有限公司(Toshiba Electronic Components Taiwan Corporation)，負責東芝在台灣、中國大陸、港澳、東南亞和南亞地區等國家的儲存產品及台灣半導體的業務推廣及支援。台灣東芝電子零組件股份有限公司為筆記型電腦代工廠商、企業級伺服器儲存商及通路代理商的最佳合作夥伴，並以提供廠商最好的服務、最尖端的科技及最高品質的產品為宗旨。更多資訊，請參考東芝網站：http://toshiba.semicon-storage.com/tw/top.html
