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意法半導體(ST)的650V IGBT可大幅提升20kHz功率轉換應用的能效

本文作者:意法半導體(ST)       點擊: 2015-07-23 09:55
前言:
2015年7月23日--意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出新款M系列 650V IGBT,為電源設計人員提供一個更快捷且經濟實惠的能效解決方案,適用於暖通空調系統(HVAC)馬達驅動器、不間斷電源、太陽能轉換器以及所有硬開關(hard-switching)電路拓撲20kHz功率轉換應用。
 

 
採用意法半導體的第三代溝槽式場截止型(trench-gate field-stop)低損耗製程,M系列IGBT擁有一個全新溝槽/通道閘(trench gate)和特殊設計的P-N-P垂直結構,能在導通損耗和開關損耗之間找到了最佳平衡點,從而最大幅地提升電晶體的整體性能。在150°C初始接面溫度時,最小短路耐受時間為6µs,175°C最大工作接面溫度及寬安全工作範圍有助於延長元件的使用壽命,同時提升對功率耗損有極高要求的應用可靠性。
 
此外, 新產品封裝亦整合了新一代穩流二極體(Free-wheeling Diode)。新款二極體提供快速恢復功能,並同時保持低正向電壓降及高軟度。此項設計不僅可實現優異的EMI保護功能,還能有效降低開關損耗。正VCE(sat)溫度係數結合緊密的參數分佈,使新產品能夠安全平行,並滿足更大功率的要求。
 
M系列產品的主要特性:
• 650V IGBT,大部分的競爭產品都是600V;
• 低VCE(sat) (1.55V @25°C)電壓,能夠最大幅度地降低導通損耗;
• 出色的穩健性,擁有廣泛的寬安全工作範圍以及無鎖定效應(latch-free operation);
• 業界最佳的Etot - Vce(sat) 平衡比;
• 175°C最大工作接面溫度;
• 高溫下的短路耐受時間最短6µs;
• 電壓過衝非常有限,確保關機期間零振蕩
 
最新發佈的M系列擁有10A及30A兩種可選額定電流,提供各種功率封裝選擇,包括TO-220、D2PAK和TO-247 LL長針腳封裝,與意法半導體針對高頻工業應用所研發的HB系列650V IGBT(高達60 kHz)相互補足。新產品已開始量產。欲了解更多詳情,請瀏覽www.st.com/igbt
 
關於意法半導體
意法半導體(STMicroelectronics;ST)是全球領先的半導體解決方案供應商,為感測及功率技術與多媒體融合應用領域提供創新的解決方案。從能源管理和節能技術,到數位信任和資料安全,從醫療健身設備,到智慧型消費性電子,從家電、汽車,到辦公設備,從工作到娛樂,意法半導體的微電子元件技術無所不在,在豐富人們的生活方面發揮著積極、創新的作用。意法半導體代表著科技帶動智慧生活(life.augmented)的理念。
意法半導體2014年淨收入74.0億美元。詳情請瀏覽意法半導體公司網站www.st.com。 

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