安森美半導體擴充高性能溝槽型場截止IGBT陣容

2012年10月24日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場截止(FS) 絕緣閘雙極電晶體(IGBT)元件，推出9款新的高能效方案。

 

這些新元件提升系統總體開關能效，降低功率耗散，且提升系統可靠性。這些最新IGBT元件增添至安森美半導體現有超過30款的IGBT產品系列中，將產品的額定電流能力提升至最高40 A。這些產品中包含專門針對太陽能及不斷電供應系統(UPS)應用高性能電源轉換的元件。

安森美半導體功率分立產品資深總監兼總經理John Trice說：「全球能耗的大幅增加及預計對經濟及環境的不利影響，持續推動針對更高性能功率分立元件的需求。這些新一代元件在提供高性價比及業界領先能效的同時無損其強固性。安森美半導體專有的溝槽型場截止技術能為工程師在應用其電源系統設計時提供更豐富的選擇。」

第一組新IGBT是NGTB40N120FLWG、NGTB25N120FLWG及NGTB15N120FLWG。這些產品採用強固及高性價比的溝槽型技術結構，為高頻開關應用提供優異的性能。低開關損耗及超快恢復二極體使它們非常適合於高頻太陽能、UPS及逆變焊機應用。這些元件分別擁有40 A、25 A及15 A的額定集電極電流(I_C)。三款元件均經過高度最佳化，用於頻率在10千赫茲(kHz)至40 kHz的開關應用，提供低導通電壓(V_CEsat)及低門電荷(Qg)特性，並具備超快恢復能力，提供極低開關損耗，以保持低功率耗散。這些新IGBT元件都提供−55 °C至+150 °C的工作結溫。

第二組新元件也拓寬了安森美半導體的溝槽型場截止IGBT元件陣容，將產品額定電流能力提升至最高40 A。NGTB30N120LWG 及NGTB40N120LWG提供低V_cesat及強固的短路特性，帶有快速恢復二極體，用於低頻(2 – 20 kHz)硬開關應用，如馬達控制變頻應用。與這兩款元件相輔相成的是NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG、NGTB20N120IHSWG及NGTB30N120IHSWG，這些元件具有均衡的開關及導電損耗，用於中等工作頻率(15 – 30 kHz)的電磁感應加熱及其它軟開關應用，如電鍋、電飯煲及微波爐等電器。

封裝及價格

NGTB15N120FLWG、NGTB25N120FLWG、NGTB40N120FLWG、NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG、NGTB30N120LWG、NGTB40N120LWG、NGTB30N120IHSWG及NGTB20N120IHSWG均採用緊湊的無鉛TO-247封裝，每批量10,000片的單價分別為2.00、2.50、4.00、2.50、2.75、3.00、3.25、2.25及1.60美元。

關於安森美半導體

安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)是應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商。公司的產品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，説明客戶解決他們在汽車、通信、電腦、消費電子、工業、LED照明、醫療、軍事/航空及電源應用的獨特設計挑戰，既快速又符合高性價比。公司在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括製造廠、銷售辦事處及設計中心在內的世界一流、增值型供應鏈和網路。更多資訊請訪問http://www.onsemi.com。