Microsemi推新一代超高效率NPT IGBT

2012年5月17日--功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，那斯達克代號：MSCC) 推出新一代1200V非貫穿型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的第一款產品。新的IGBT系列採用美高森美頂尖的Power MOS 8^™技術，與競爭解決方案相比，整體開關和導通損耗顯著降低20%或以。這些IGBT元件主要針對焊接機、太陽能逆變器和不斷電與開關電源等應用。

 

美高森美新的離散元件產品包括APT40GR120B、APT40GR120S和APT40GR120B2D30。這些元件可以獨立形式提供，或者與任何一款美高森美的FRED或碳化矽蕭特基(Schottky) 二極體組合封裝提供，以便簡化產品開發和製造。其它特性包括：

• 閘極電荷(Q_g) 比競爭產品顯著減少，提供更快的開關性能；
• 硬體開關運作頻率高於80 KHz，達到更高效率的功率轉換；
• 易於並聯 (Vcesat之正溫度系數)，可提升高功率應用的可靠性；
• 額定短路耐受時間(Short Circuit Withstand Time，SCWT)，為需要短路能力的應用提供可靠運作

APT40GR120B電晶體採用TO-247封裝，APT40GR120S採用表面安裝D³ PAK封裝，APT40GR120B2D30則是T-MAX^® 封裝元件，包含了一個採用美高森美的專有「DQ」系列低開關損耗、額定雪崩能量二極體技術製造的30A反向平行、超快速恢復二極體。

關於美高森美公司

美商美高森美股份有限公司(Microsemi Corporation, Nasdaq:MSCC)針對航太、國防與安全；企業與商業；以及工業與另類能源市場，提供半導體解決方案最全面的產品組合。產品包括高性能，高可靠度的類比和RF元件，混合訊號與RF積體電路，可客製化SoC，FPGA，和完整的子系統。Microsemi總部位於美國加州Aliso Viejo，全球擁有約3000位員工。要了解詳情，請造訪其網站http://www.microsemi.com。