IR新款25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列為工業用負載點應用帶來高密度解決方案

本文作者:admin       點擊: 2010-11-18 00:00
前言:
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V元件,採用了IR最新的HEXFET MOSFET矽元件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝,為電訊系統、網路通訊和高端桌上及筆記本電腦應用的DC-DC轉換器,帶來高密度、可靠,且高效率的解決方案。
   
IR的新款高性能PQFN 3 x 3封裝是製造技術改進的成果,以全新精密占位空間提供較標準PQFN 3 x 3元件高出最多60%的負載電流效能,同時顯著減少整體封裝電阻,從而達到極低的導通電阻 (RDS(on)) 。除了低導通電阻,新的高性能PQFN封裝加強了熱傳導性和提高了可靠性,還符合工業標準及MSL1濕度敏感性測試。

這項高性能PQFN封裝技術也適用於5 x 6 mm占位空間元件,但不用像標準PQFN 5 x 6 元件般,在設計要求更多電流時需要增加額外的占位空間。

該系列包括充當控制MOSFET的經優化元件,提供低閘極導通電阻 (Rg) 去減少開關損耗。在同步MOSFET應用方面,新元件採用FETKY (單片式FET及肖特基二極管) 組態方式供應,從而縮短逆向復原時間,以加強效率和EMI性能。 

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:「新的高性能PQFN封裝元件系列為DC-DC應用提供經優化、非常可靠靈活的高密度解決方案。此外,隨著IR擴展PQFN產品,客戶現在可以從眾多封裝組合中作出適當選擇,讓他們的設計達到最佳成果。」 

新元件的厚度少於1 mm,使它們與現有的表面黏著技術兼容,並且擁有行業標準的占位空間,還符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 。 
 

產品規格

元件編號 封裝 BVDSS (V) 最大VGS (V) 在10V下典型/最大RDSon (mΩ) 在4.5V下典型/最大RDSon (mΩ) 在4.5V下典型Qg (nC) 額外
芯片
功能
IRFHM831 PQFN 3x3 30V ±20V 6.6 / 7.8 10.7 / 12.6 7.3 低Rg
IRFHM830D PQFN 3x3 30V ±20V 3.4 / 4.3 5.7 / 7.1 13 FETky
IRFHM830 PQFN 3x3 30V ±20V 3.0 / 3.8 4.8 / 6.0 15
IRFH5303 PQFN 5x6 30V ±20V 3.6 / 4.2 5.7 / 6.8 15 低Rg
IRFH5304 PQFN 5x6 30V ±20V 3.8 / 4.5 5.8 / 6.8 16
IRFH5306 PQFN 5x6 30V ±20V 6.9 / 8.1 11.0 / 13.3 7.8
IRFH5255 PQFN 5x6 25V ±20V 5.0 / 6.0 8.8 / 10.9 7.0 低Rg
IRFH5250D PQFN 5x6 25V ±20V 1.0 / 1.4 1.7 / 2.2 39 FETky

新系列已接受批量訂單。有關的數據資料及MOSFET產品選擇工具亦於 IR 的網站 www.irf.com供應。

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