IR新款25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列為工業用負載點應用帶來高密度解決方案

本文作者:admin       點擊: 2010-11-18 00:00
前言:
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V元件,採用了IR最新的HEXFET MOSFET矽元件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝,為電訊系統、網路通訊和高端桌上及筆記本電腦應用的DC-DC轉換器,帶來高密度、可靠,且高效率的解決方案。
   
IR的新款高性能PQFN 3 x 3封裝是製造技術改進的成果,以全新精密占位空間提供較標準PQFN 3 x 3元件高出最多60%的負載電流效能,同時顯著減少整體封裝電阻,從而達到極低的導通電阻 (RDS(on)) 。除了低導通電阻,新的高性能PQFN封裝加強了熱傳導性和提高了可靠性,還符合工業標準及MSL1濕度敏感性測試。

這項高性能PQFN封裝技術也適用於5 x 6 mm占位空間元件,但不用像標準PQFN 5 x 6 元件般,在設計要求更多電流時需要增加額外的占位空間。

該系列包括充當控制MOSFET的經優化元件,提供低閘極導通電阻 (Rg) 去減少開關損耗。在同步MOSFET應用方面,新元件採用FETKY (單片式FET及肖特基二極管) 組態方式供應,從而縮短逆向復原時間,以加強效率和EMI性能。 

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:「新的高性能PQFN封裝元件系列為DC-DC應用提供經優化、非常可靠靈活的高密度解決方案。此外,隨著IR擴展PQFN產品,客戶現在可以從眾多封裝組合中作出適當選擇,讓他們的設計達到最佳成果。」 

新元件的厚度少於1 mm,使它們與現有的表面黏著技術兼容,並且擁有行業標準的占位空間,還符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 。 

新系列已接受批量訂單。有關的數據資料及MOSFET產品選擇工具亦於 IR 的網站 www.irf.com供應。

關於美商國際整流器公司 (International Rectifier;IR)
國際整流器公司 (NYSE:IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的數位、類比和混合訊號IC、先進電路元件、集成功率系統及元件,可用來驅動高效能運算、減少馬達的能源損耗 (馬達是全球最大的電力消耗裝置)。世界上有不少著名的超級電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航太和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步瞭解IR,敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。

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