德州儀器 (TI) 宣佈推出一款可在 25 A 電流下實現超過 90% 高效率的 MOSFET ，體積為同類競爭功率 MOSFET 的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D Power Block 透過先進的封裝技術, 將 2 個非對稱的 NexFET 功率 MOSFET 整合，為伺服器、桌上型電腦與筆記型電腦、基地台、交換器、路由器以及高電流負載點 (POL) 轉換器等低電壓同步降壓半橋應用實現高效能。詳細資訊請參見網頁：www.ti.com/powerblock-prtw。
NexFET Power Block 除提高效率與功率密度外，還能以高達 1.5 MHz 的開關頻率生成高達 40 A 的電流，可有效降低解決方案尺寸與成本。優化的接腳佈局 (pinout) 與接地導線架 (grounded lead frame) 可明顯縮短開發時間，改善整體電路效能。此外，NexFET Power Block 還能以低成本實現與 GaN 等其他半導體技術相當的效能。
CSD86350Q5D Power Block 的主要特性與優勢
·5 mm x 6 mm SON 尺寸僅為兩個 5 mm x 6 mm QFN 封裝的獨立式 MOSFET 裝置的 50%；
·可在 25 A 的負載電流下，達到超過 90% 的電源效率，與業界相同規格的 MOSFET 相比，效率高出 2%，功率損耗降低 20 %；
·與相同規格的解決方案相比，無須增加功率損耗便可提高 2 倍頻率；
·底部採用裸露接地焊墊的 SON 封裝可簡化佈局。
供貨與價格
採用 5 mm x 6 mm SON 封裝的 NexFET Power Block 裝置現已開始大量供貨，可向 TI 及其授權經銷商訂購。CSD86350Q5D 每千顆單位建議零售價格為 1.75 美元。樣品與評估模組也已開始供應。
NexFET Power Block 除提高效率與功率密度外，還能以高達 1.5 MHz 的開關頻率生成高達 40 A 的電流，可有效降低解決方案尺寸與成本。優化的接腳佈局 (pinout) 與接地導線架 (grounded lead frame) 可明顯縮短開發時間，改善整體電路效能。此外，NexFET Power Block 還能以低成本實現與 GaN 等其他半導體技術相當的效能。
CSD86350Q5D Power Block 的主要特性與優勢
·5 mm x 6 mm SON 尺寸僅為兩個 5 mm x 6 mm QFN 封裝的獨立式 MOSFET 裝置的 50%；
·可在 25 A 的負載電流下，達到超過 90% 的電源效率，與業界相同規格的 MOSFET 相比，效率高出 2%，功率損耗降低 20 %；
·與相同規格的解決方案相比，無須增加功率損耗便可提高 2 倍頻率；
·底部採用裸露接地焊墊的 SON 封裝可簡化佈局。
供貨與價格
採用 5 mm x 6 mm SON 封裝的 NexFET Power Block 裝置現已開始大量供貨，可向 TI 及其授權經銷商訂購。CSD86350Q5D 每千顆單位建議零售價格為 1.75 美元。樣品與評估模組也已開始供應。
