全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR) 擴展其SmartRectifier IC陣營，推出為AC-DC功率轉換器而設，適用於為高端LCD電視的IR1168。
這款200V雙智慧型能二次側整流器驅動器IC，是為驅動在共振半橋式拓樸用作同步整流器（SR）的兩枚N-通道功率MOSFET而設計。與傳統電流變壓器SR方式相比，IR1168能因應MOSFET漏極感應電壓接近零電流轉換，準確判斷啟動或關閉，免除額外元件，有助簡化設計。
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「同步整流較二極管設計提供更顯著的能源節約，但傳統SR方法不單較複雜，亦要求更多元件。IR1168僅採用兩枚門電阻和一個電源電容器，能降低系統溫度和增加功率密度，達致比現時SR方法更高的效率和可靠性，同時亦簡化設計，並大幅減少元件數目，有助縮細PCB體積。」
與配備IR最新溝道矽和封裝技術的DirectFET MOSFET為協同設計，IR1168方案讓標準240W LCD電視SMPS提升1.5%的效率，同時降低整流器元件溫度達25。C，並縮小三分之二的電路板體積。
IR1168擁有IR獨有的高壓IC技術，支援成組方式操作，即使在輕負載下仍可帶來效率效益。耐用性和無噪聲干擾可透過先進的消隱方案和雙脈衝抑制來實現，使固定或可變頻率應用均能可靠操作。其他主要功能包括最高500kHz切換頻率、防跳動邏輯和UVLO保護、4A峰值關閉門驅動電流、微功率起動和超低靜態電流、10.7V門驅動鉗、70ns關閉傳播延遲，以及由8.6V至18V的廣闊Vcc操作範圍。
產品的基本規格：
SmartRectifier IC
元件編號 封裝 電壓 最大切換頻率 (kHz) 最小Vcc 最大Vcc 輸出電流 VGate Clamp (V)
IR1168SPbF SO-8 200 V 500 8.6 V 18 V + 1 A/ -4 A 10.7 V
IR1168STRPbF SO-8 200 V 500 8.6 V 18 V + 1 A/ -4 A 10.7 V
DirectFET MOSFET
元件編號 封裝 VBRDSS (V) 10V下
最大RDS(on) (mOhms) 典型Qg (nC) 典型Qgd (nC)
IRF6648 DirectFET MN 60 7.0 36.0 14.0
IRF6646 DirectFET MN 80 9.5 36.0 12.0
IRF6668 DirectFET MZ 80 15.0 22.0 7.8
IRF6644 DirectFET MN 100 13.0 35.0 11.5
IRF6662 DirectFET MZ 100 22.0 22.0 6.8
IRF6645 DirectFET SJ 100 35.0 14.0 4.8
IRF6655 DirectFET SH 100 62.0 8.7 2.8
IRF6643 DirectFET MZ 150 34.5 39.0 11.0
IRF6641 DirectFET MZ 200 59.9 34.0 9.5
標準MOSFET
元件編號 封裝 V(br)dss RDS(on)
IRFB3206PbF TO-220 60V 3mOhm
IRFB3306PbF TO-220 60V 4.2mOhm
IRF7855PbF SO-8 60V 9.4mOhm
IRFB3307PbF TO-220 75V 6.3mOhm
IRFB3507PbF TO-220 75V 8.8mOhm
IRF7854PbF SO-8 80V 13.4mOhm
IRFB4110PbF TO-220 100V 6.3mOhm
IRFB4310PbF TO-220 100V 7mOhm
IRFB4410PbF TO-220 100V 10mOhm
IRFB4610PbF TO-220 100V 14mOhm
IRF7853PbF SO-8 100V 18mOhm
IRFB4227PbF TO-220 200V 26mOhm
產品詳細資料可瀏覽IR網頁www.irf.com。
IR1168SPbF採用8引腳型SOIC封裝，並且已接受批量訂單。新元件不含鉛，亦符合電子產品有害物質管制規定（RoHS）。
欲進一步了解IR，敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。
這款200V雙智慧型能二次側整流器驅動器IC，是為驅動在共振半橋式拓樸用作同步整流器（SR）的兩枚N-通道功率MOSFET而設計。與傳統電流變壓器SR方式相比，IR1168能因應MOSFET漏極感應電壓接近零電流轉換，準確判斷啟動或關閉，免除額外元件，有助簡化設計。
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「同步整流較二極管設計提供更顯著的能源節約，但傳統SR方法不單較複雜，亦要求更多元件。IR1168僅採用兩枚門電阻和一個電源電容器，能降低系統溫度和增加功率密度，達致比現時SR方法更高的效率和可靠性，同時亦簡化設計，並大幅減少元件數目，有助縮細PCB體積。」
與配備IR最新溝道矽和封裝技術的DirectFET MOSFET為協同設計，IR1168方案讓標準240W LCD電視SMPS提升1.5%的效率，同時降低整流器元件溫度達25。C，並縮小三分之二的電路板體積。
IR1168擁有IR獨有的高壓IC技術，支援成組方式操作，即使在輕負載下仍可帶來效率效益。耐用性和無噪聲干擾可透過先進的消隱方案和雙脈衝抑制來實現，使固定或可變頻率應用均能可靠操作。其他主要功能包括最高500kHz切換頻率、防跳動邏輯和UVLO保護、4A峰值關閉門驅動電流、微功率起動和超低靜態電流、10.7V門驅動鉗、70ns關閉傳播延遲，以及由8.6V至18V的廣闊Vcc操作範圍。
產品的基本規格：
SmartRectifier IC
元件編號 封裝 電壓 最大切換頻率 (kHz) 最小Vcc 最大Vcc 輸出電流 VGate Clamp (V)
IR1168SPbF SO-8 200 V 500 8.6 V 18 V + 1 A/ -4 A 10.7 V
IR1168STRPbF SO-8 200 V 500 8.6 V 18 V + 1 A/ -4 A 10.7 V
DirectFET MOSFET
元件編號 封裝 VBRDSS (V) 10V下
最大RDS(on) (mOhms) 典型Qg (nC) 典型Qgd (nC)
IRF6648 DirectFET MN 60 7.0 36.0 14.0
IRF6646 DirectFET MN 80 9.5 36.0 12.0
IRF6668 DirectFET MZ 80 15.0 22.0 7.8
IRF6644 DirectFET MN 100 13.0 35.0 11.5
IRF6662 DirectFET MZ 100 22.0 22.0 6.8
IRF6645 DirectFET SJ 100 35.0 14.0 4.8
IRF6655 DirectFET SH 100 62.0 8.7 2.8
IRF6643 DirectFET MZ 150 34.5 39.0 11.0
IRF6641 DirectFET MZ 200 59.9 34.0 9.5
標準MOSFET
元件編號 封裝 V(br)dss RDS(on)
IRFB3206PbF TO-220 60V 3mOhm
IRFB3306PbF TO-220 60V 4.2mOhm
IRF7855PbF SO-8 60V 9.4mOhm
IRFB3307PbF TO-220 75V 6.3mOhm
IRFB3507PbF TO-220 75V 8.8mOhm
IRF7854PbF SO-8 80V 13.4mOhm
IRFB4110PbF TO-220 100V 6.3mOhm
IRFB4310PbF TO-220 100V 7mOhm
IRFB4410PbF TO-220 100V 10mOhm
IRFB4610PbF TO-220 100V 14mOhm
IRF7853PbF SO-8 100V 18mOhm
IRFB4227PbF TO-220 200V 26mOhm
產品詳細資料可瀏覽IR網頁www.irf.com。
IR1168SPbF採用8引腳型SOIC封裝，並且已接受批量訂單。新元件不含鉛，亦符合電子產品有害物質管制規定（RoHS）。
欲進一步了解IR，敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。
