全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出由IRF6631控制MOSFET及IRF6638同步MOSFET組成的全新30V同步降壓轉換器晶片組。這個組合備有IR的基準DirectFET封裝及雙面冷卻功能，並具備最新的HEXFET MOSFET技術，能在中電流水平 (低於18安培) 達致高效率及散熱效能。應用包括先進的筆記簿型和桌上型電腦，電訊及數據通訊，以至透過小面積、高效率及改善了的導熱效能來提升功率密度的通用同步降壓設計。
IR台灣分公司總經理朱文義表示：「全新的DirectFET晶片組，是希望為中間範圍15至18安培功率轉換器應用，尋找十分簡潔兼具切換效率元件之設計人員的極佳選擇。除了在5至8 安培範圍內提升效率逾1%，該晶片組也比採用3夥SO-8元件的傳統方式節省佔位面積差不多達50%。」
每項元件皆為實現其在DC-DC降壓轉換器電路上的表現最佳化而設計。IRF6631 DirectFET控制MOSFET可降低交換損耗，而IRF6638 DirectFET同步MOSFET則能滅少傳導損耗及逆向修復電荷。
IRF6631控制FET的閘電荷為12nC，電阻閘電荷 (99.6 mOhmsnC) 優值亦比先前的產品少16%。IRF6638同步FET在4.5V提供3.0mOhms的典型通態電阻，比現有元件減少12%，但仍能維持同一閘電荷。
IR已獲專利的DirectFET MOSFET封裝，具有以往標準塑料分立封裝所不能提供的全新設計優點。它們的金屬容器結構可提供雙面冷卻功能，把用於驅動先進微型處理器的高頻DC-DC降壓轉換器的電流處理能力，有效增加一倍。此外，DirectFET封裝內的元件皆符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS)。
IRF6631 及IRF6638 DirectFET MOSFET現已供貨，全部元件皆符合RoHS。
IR台灣分公司總經理朱文義表示：「全新的DirectFET晶片組，是希望為中間範圍15至18安培功率轉換器應用，尋找十分簡潔兼具切換效率元件之設計人員的極佳選擇。除了在5至8 安培範圍內提升效率逾1%，該晶片組也比採用3夥SO-8元件的傳統方式節省佔位面積差不多達50%。」
每項元件皆為實現其在DC-DC降壓轉換器電路上的表現最佳化而設計。IRF6631 DirectFET控制MOSFET可降低交換損耗，而IRF6638 DirectFET同步MOSFET則能滅少傳導損耗及逆向修復電荷。
IRF6631控制FET的閘電荷為12nC，電阻閘電荷 (99.6 mOhmsnC) 優值亦比先前的產品少16%。IRF6638同步FET在4.5V提供3.0mOhms的典型通態電阻，比現有元件減少12%，但仍能維持同一閘電荷。
IR已獲專利的DirectFET MOSFET封裝，具有以往標準塑料分立封裝所不能提供的全新設計優點。它們的金屬容器結構可提供雙面冷卻功能，把用於驅動先進微型處理器的高頻DC-DC降壓轉換器的電流處理能力，有效增加一倍。此外，DirectFET封裝內的元件皆符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS)。
IRF6631 及IRF6638 DirectFET MOSFET現已供貨，全部元件皆符合RoHS。
