當前位置: 主頁 > 專題報導 >
 

EPC:氮化鎵晶片級元件&功率級積體電路,皆專精!

本文作者:任苙萍       點擊: 2020-11-12 15:05
前言:
 
氮化鎵場效應電晶體」(eGaN®FET) 而聞名的宜普電源轉換公司(EPC),又怎麼看待氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC) 的關係? EPC 首席執行長及共同創辦人Alexander Lidow 博士斷言,兩者市場幾乎很少重疊——氮化鎵技術和元件將主導650 V 及以下的元件的應用,而碳化矽將主導900 V 及以上的元件的應用。至於650 ~ 900V 之間的市場則會由氮化鎵、碳化矽及絕緣閘雙極電晶體(IGBT) 分食。值得留意的是,氮化鎵元件採用橫向結構,因此所有電氣端子( 包括:閘極、汲極和源極) 都位於同一表面上,好處多多。
 

照片人物:EPC 首席執行長及共同創辦人Alexander Lidow 博士
 
 

電子郵件:look@compotechasia.com

聯繫電話:886-2-27201789       分機請撥:11