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安森美:SiC 分立器件/模組「全生態」方案應市

本文作者:任苙萍       點擊: 2020-11-12 14:56
前言:
 
氮化鎵(GaN) 早在上世紀九O 年代就應用於發光二極體(LED),如今市場涵蓋光電、功率和射頻(RF) 半導體器件;惟對於高壓半導體來說,碳化矽(SiC) 更具競爭力。雖有傳聞GaN 功率不斷提升可能侵蝕SiC 部分市場,但安森美半導體(ON) 電源方案部產品市場經理王利民並不認同這種說法:「恰恰相反!就功率器件領域來說,坊間已有大量650 V SiC MOSFET ( 金屬氧化物半導體場效電晶體,簡稱MOS) 問市,其實正在蠶食部分GaN 功率器件市場」。
 
即便如此,氮化鎵在功率器件的成長性依舊看好,只是市場容量遠不如碳化矽。
 

照片人物:安森美半導體(ON) 電源方案部產品市場經理王利民

 

 
 
 

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