傳統認知上，若頻率稍高、但電壓或功率不是很高時採用矽基MOSFET ( 金屬氧化物半導體場效電晶體，簡稱MOS)；高頻低壓或低頻高壓用IGBT ( 絕緣閘雙極電晶體)；高頻高壓用碳化矽(SiC) MOS，而電壓、功率不大但需高頻則採用氮化鎵(GaN)。相較於矽基IGBT，SiC 的導通電阻更低，可降低功率器件體積，有助於新能源汽車的輕量化。羅姆半導體(ROHM) 台灣技術中心副理唐仲亨表示，就目前發展趨勢來看，SiC與GaN 重疊性不高：SiC 以大電壓、大電流為主，用於一些三相電源的應用場合或是逆變器，SiC MOS 未來或會影響IGBT 區塊。
照片人物:羅姆半導體(ROHM) 台灣技術中心副理唐仲亨
