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ROHM:率先量產「溝槽式」SiC MOS,更具競爭力

本文作者:任苙萍       點擊: 2020-11-12 13:57
前言:
 
傳統認知上,若頻率稍高、但電壓或功率不是很高時採用矽基MOSFET ( 金屬氧化物半導體場效電晶體,簡稱MOS);高頻低壓或低頻高壓用IGBT ( 絕緣閘雙極電晶體);高頻高壓用碳化矽(SiC) MOS,而電壓、功率不大但需高頻則採用氮化鎵(GaN)。相較於矽基IGBT,SiC 的導通電阻更低,可降低功率器件體積,有助於新能源汽車的輕量化。羅姆半導體(ROHM) 台灣技術中心副理唐仲亨表示,就目前發展趨勢來看,SiC與GaN 重疊性不高:SiC 以大電壓、大電流為主,用於一些三相電源的應用場合或是逆變器,SiC MOS 未來或會影響IGBT 區塊。
 

照片人物:羅姆半導體(ROHM) 台灣技術中心副理唐仲亨
 
 

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