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UnitedSiC:SiC FET 價格可媲美矽基超接面元件

本文作者:任苙萍       點擊: 2020-11-12 13:46
前言:
 
碳化矽功率半導體領先製造商聯合碳化矽(UnitedSiC) 執行長Chris Dries 表示,在寬能隙(WBG)功率元件的市場上,碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN) 將在此後十年中持續快速成長,兩者並非取代關係或互斥選擇,而是每種材料系統都會找到合適的應用。UnitedSiC 預期碳化矽將持續佔據650V 以上應用的主導地位,而氮化鎵將持續在650V 以下找到許多應用來取代矽元件。兩者最大的區別在於:SiC功率元件利用垂直電流流動來經過主動元件層,並進入高導電基板;而GaN 是採用橫向電晶體結構,通常用於價格較低的矽基板。
 

照片人物:UnitedSiC 執行長Chris Dries

 

 
 

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