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Infineon「超接面製程」為銜接GaN、SiC 材料作緩衝

時間:2017-06-15 09:01來源:COMPOTECHAsia 作者:任苙萍 點擊:
節能系統設計○之大功率製程封裝
 

照片人物:英飛凌電源管理與多元電子事業處資深行銷經理陳志星
 
英飛凌(Infineon) 是最早將SJ 製程商用化的半導體廠商,率先於2001 年推出首款SJ MOSFTET 產品——CoolMOSC3。英飛凌電源管理與多元電子事業處資深行銷經理陳志星表示,經過近二十年的淬煉,CoolMOS系列已能將效能、價格、易用性與產品組合(portfolio) 之間取得最佳平衡。他建議,效能和價格固然是採購的基本準則,但電磁干擾(EMI) 和射頻干擾(RFI) 對於系統設計的影響亦不容小覷,否則善後工作會很棘手且耽誤開發時程;而往往切換頻率越快,RFI 越明顯,因此,設計前應做全方位的考量,這即是所謂「易用性」的要義。
(責任編輯:jane)
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